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1、沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法2、栅氧化层形成方法3、一种栅氧化层的制造方法4、一种低电压栅氧化层制备方法5、改善栅氧化层整合性参数的方法6、制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工...
1、栅氧化层的形成方法2、一种功率半导体器件栅氧化层状态监测系统及其使用方法3、栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构4、氮掺杂栅氧化层的形成工艺的监控方法5、栅氧化层...
一种形成碳化硅基板底部氧化层增厚结构的制作方法，包括：利用形成于碳化硅基板上具有开口的图案化硬式掩膜版，透过上述开口图案化碳化硅基板以形成沟槽结构于碳化硅基板中；利用上述图案化硬式...
一种碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法，其特征在于，包括：提供碳化硅基板；形成沟槽结构于碳化硅基板之中；形成单晶硅层于沟槽结构之上；进行热氧化以在该单晶硅层之上形成顶部氧化层、底...
一种隧穿氧化层钝化结构及其制作方法与应用。所述隧穿氧化层钝化结构包括：设置在第一导电类型的硅基底上的氧化物层，所述氧化物层包括超薄氧化铝层；以及，设置在所述氧化物层上的掺杂层，所述...
一种半导体存储装置及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括：衬底；源极结构，形成于衬底上；叠层结构，包括交替层叠设置在源极结构上的氮化层和氧化层；浮置体，形成于氧化层...
一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N漂移层的表面进行氧化层的淀积；通过光刻...
一种HKMG结构制作方法，包括以下步骤：优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序，依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅...
1、具优异熔铸性的无铅快削黄铜合金和其制造方法和用途2、一种黄铜合金线材无酸洗去除氧化层的方法3、一种锡黄铜合金及其制备方法4、一种耐脱锌高塑易加工的H62简单黄铜合金及其制备方法...
