隧穿氧化层钝化结构及其制作方法与应用

一种隧穿氧化层钝化结构及其制作方法与应用。所述隧穿氧化层钝化结构包括：设置在第一导电类型的硅基底上的氧化物层，所述氧化物层包括超薄氧化铝层；以及，设置在所述氧化物层上的掺杂层，所述掺杂层是第一导电类型或第二导电类型的。本发明提供的TOPCon结构可以应用于制备TOPCon电池正面的发射极，并提高发射极的制备速度，以及还可以应用为TOPCon电池背面的钝化结构，且有效提升电池的耐高温性能，扩大烧结工艺窗口，易于生产线工艺调试，具有广阔应用前景。

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