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一种LED芯片及其制作方法与应用

时间:2021/9/17 11:41:27 点击:

  核心提示:一种LED芯片及其制作方法与应用,该LED芯片包括底层,所述底层表面设有N型半导体层(3);所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域;所述第一区域表面设有中间层;所述中间层表面设有P型透明导电层;...
一种LED芯片及其制作方法与应用,该LED芯片包括底层,所述底层表面设有N型半导体层(3);所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域;所述第一区域表面设有中间层;所述中间层表面设有P型透明导电层;所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层;其中,所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种;所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3;所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明通过在外延片的表面沉积P型透明导电层,提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率,降低了LED芯片正向电压,提升了LED芯片亮度。

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