核心提示：1、沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法2、栅氧化层形成方法3、一种栅氧化层的制造方法4、一种低电压栅氧化层制备方法5、改善栅氧化层整合性参数的方法6、制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法7、栅氧化层的...
1、沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法2、栅氧化层形成方法
3、一种栅氧化层的制造方法
4、一种低电压栅氧化层制备方法
5、改善栅氧化层整合性参数的方法
6、制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法
7、栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法
8、栅氧化层及其制备方法和半导体器件
9、栅氧化层的形成方法
10、MOS器件的栅氧化层结构及工艺方法
11、EEPROM的栅氧化层制造方法及其制造的栅氧化层
12、栅氧化层的制造方法
13、提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法
14、栅氧化层之制备方法
15、在半导体衬底上制造不同厚度的栅氧化层的方法
16、一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件
17、一种用于SiC功率器件芯片的栅氧化层制造方法
18、一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法
19、栅氧化层的制造方法
20、栅氧化层的制备方法
21、改善栅氧化层表面均匀度的方法
22、栅氧化层的制造方法
23、一种氮氧化硅栅氧化层制造方法
24、栅氧化层的制造方法
25、不同厚度的栅氧化层的制造方法
26、一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法
27、一种碳化硅MOS电容栅氧化层的制备方法
28、化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法
29、栅氧化层制作方法
30、高可靠性的低温栅氧化层生长工艺
31、一种栅氧化层的制备方法
32、一种阶梯型厚栅氧化层的制作方法
