核心提示：1、栅氧化层的形成方法2、一种功率半导体器件栅氧化层状态监测系统及其使用方法3、栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构4、氮掺杂栅氧化层的形成工艺的监控方法5、栅氧化层及其制备方法和半导体...
1、栅氧化层的形成方法2、一种功率半导体器件栅氧化层状态监测系统及其使用方法
3、栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构
4、氮掺杂栅氧化层的形成工艺的监控方法
5、栅氧化层及其制备方法和半导体器件
6、栅氧化层工艺中的厚度补偿方法
7、一种栅氧化层生长方法
8、台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层
9、一种SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法及功率器件
10、栅氧化层测试结构及其制造方法、栅氧化层测试基板
11、制备栅氧化层的方法
12、一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC-MOSFET栅的制备方法
13、监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法和结构
14、高压栅氧化层制作方法、高压栅氧化层和终端设备
15、提高栅氧化层质量的制备工艺
16、碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法
17、一种用于SiC功率器件芯片的栅氧化层制造方法
18、一种栅氧化层等效厚度的精确测试方法
19、一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法
20、栅氧化层的形成方法、半导体器件及其形成方法
21、一种碳化硅MOS电容栅氧化层的制备方法
22、一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法
23、碳化硅MOS栅氧化层退火方法
24、一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法
25、栅氧化层的制造方法
26、一种MOSFET栅氧化层电容校准结构
27、MOS器件的栅氧化层结构及工艺方法
28、一种双栅氧化层制造方法
29、一种栅氧化层漏电点的定位方法
30、屏蔽栅-深沟槽MOSFET的屏蔽栅氧化层及其形成方法
31、一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构
32、SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法及SiC功率MOSFET器件
33、栅氧化层厚度实时监控方法
34、一种阶梯型厚栅氧化层的制作方法
35、一种栅氧化层的制备方法及MOS功率器件
36、一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件
37、一种栅氧化层缺陷的分析方法
38、一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法
39、一种栅氧化层的形成方法
40、一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法
41、一种在线监控栅氧化层完整性的方法
42、栅氧化层的制备方法
43、沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法
44、栅氧化层的工艺方法
45、栅氧化层失效分析方法
46、一种栅氧化层完整性的测试结构及测试方法
47、栅氧化层的制造方法
48、用于并行测试系统的栅氧化层完整性的测试结构
49、一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法
50、在后栅工艺中形成不同厚度的栅氧化层的方法
51、一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法
52、一种提高栅氧化层质量的方法
53、栅氧化层失效点的定位方法
54、栅氧化层的制备方法
55、双线性掺杂漏异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管
56、栅氧化层的制造方法
57、一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法
58、一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法
59、高可靠性的低温栅氧化层生长工艺
60、阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS及其制作方法
61、栅氧化层的制造方法
62、一种栅氧化层的制备方法
63、一种测定沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法
64、栅氧化层完整性测试结构及测试方法
65、CMOS器件栅氧化层的制造方法
66、改善栅氧化层表面均匀度的方法
67、一种改善闪存存储器外围电路区栅氧化层可靠性的方法
68、一种栅氧化层的制备方法
69、栅氧化层陷阱密度及位置的测试方法及装置
70、半导体器件栅氧化层的形成方法
71、一种监控栅氧化层掺氮量漂移的测试结构及方法
72、CMOS栅氧化层的形成方法
73、栅氧化层的形成方法
74、一种MOS晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构
75、栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法
76、DDMOS台阶栅氧化层的制造工艺方法
77、用选择性外延制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法
78、一种单一厚度栅氧化层实现多级工作电压的CMOS器件的制备方法
79、制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法
80、栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法
81、一种低电压栅氧化层制备方法
82、栅氧化层形成方法
83、沟槽式功率器件中沟槽底部厚栅氧化层的形成方法
84、一种氮氧化硅栅氧化层制造方法
85、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构
86、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构
87、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构
88、栅氧化层和介质层完整性的测试结构及测试方法
89、提取场效应晶体管栅氧化层厚度和衬底掺杂浓度的方法
90、一种测量栅氧化层厚度的方法
91、改善栅氧化层整合性参数的方法
92、一种改善栅氧化层TDDB失效的方法
93、MOS晶体管器件栅氧化层完整性测试的方法
94、EEPROM的栅氧化层制造方法及其制造的栅氧化层
95、改善栅氧化层生长的方法以及浅沟槽隔离工艺的制作方法
96、栅氧化层制作方法
97、对栅氧化层进行失效分析的方法
98、制作栅氧化层和栅极多晶硅层的方法
99、探针卡及栅氧化层介质击穿测试方法
100、检测栅氧化层完整性的方法
101、栅氧化层失效分析方法及所用测试结构
102、栅氧化层及半导体器件的制作方法
103、阶梯式栅氧化层的制造方法及半导体器件
104、一种稳定栅氧化层电学厚度的方法
105、一种栅氧化层的制造方法
106、栅氧化层形成方法
107、高压MOS器件栅氧化层可靠性的测试结构及方法
108、形成厚度均匀的栅氧化层的方法
109、栅氧化层的制造方法
110、一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构
111、控制栅氧化层厚度的方法及半导体器件的制作方法
112、制作栅氧化层的方法
113、栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法
114、不同厚度的栅氧化层的制造方法
115、形成不同厚度的栅氧化层的方法
116、一种片上系统器件的厚栅氧化层制造方法
117、用于测试栅氧化层完整性的矩阵型测试结构
118、一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构
119、不对称高压MOS器件栅氧化层保护方法及其应用
120、采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法
121、提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法
122、栅氧化层的制备方法
123、栅氧化层之制备方法
124、具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET及其制造方法
125、在EEPROM单元内形成低电压栅氧化层和隧道氧化层的方法
126、栅氧化层的制造方法
127、基于晶体管栅氧化层击穿特性的可编程门阵列
128、用于制备具有改善的栅氧化层完整性的单晶硅的方法
129、一种形成集成电路芯片的方法
130、在半导体衬底上制造不同厚度的栅氧化层的方法
131、半导体器件制造用炉及用其形成栅氧化层的方法
