半导体存储装置及其制作方法

一种半导体存储装置及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括：衬底；源极结构，形成于衬底上；叠层结构，包括交替层叠设置在源极结构上的氮化层和氧化层；浮置体，形成于氧化层内，浮置体的内部沿叠层结构的层叠方向设置有贯通孔；沟道区，形成于浮置体的内侧，沟道区的内部沿层叠方向也设置有贯通孔，沟道区与源极结构接触；漏极结构，形成于叠层结构在层叠方向的顶部，漏极结构与沟道区接触；栅极结构，形成于沟道区的内侧。本公开可以提高半导体存储装置的集成度。

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