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碳化硅基板底部氧化层增厚结构的制作方法

时间:2021/10/13 13:55:20 点击:

  核心提示:一种形成碳化硅基板底部氧化层增厚结构的制作方法,包括:利用形成于碳化硅基板上具有开口的图案化硬式掩膜版,透过上述开口图案化碳化硅基板以形成沟槽结构于碳化硅基板中;利用上述图案化硬式掩膜版作为离子注入掩...
一种形成碳化硅基板底部氧化层增厚结构的制作方法,包括:利用形成于碳化硅基板上具有开口的图案化硬式掩膜版,透过上述开口图案化碳化硅基板以形成沟槽结构于碳化硅基板中;利用上述图案化硬式掩膜版作为离子注入掩膜版;注入铝离子至碳化硅基板的沟槽结构,利用上述图案化硬式掩膜版使铝离子注入沟槽结构的底部区域并非晶化底部区域;氧化上述非晶化底部区域以形成底部氧化区域。

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