- 碳化硅基板底部氧化层增厚结构的制作方法 2021-10-13 点击:73
- 碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法 2021-10-13 点击:93
一种形成碳化硅基板底部氧化层增厚结构的制作方法,包括:利用形成于碳化硅基板上具有开口的图案化硬式掩膜版,透过上述开口图案化碳化硅基板以形成沟槽结构于碳化硅基板中;利用上述图案化硬式...
一种碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法,其特征在于,包括:提供碳化硅基板;形成沟槽结构于碳化硅基板之中;形成单晶硅层于沟槽结构之上;进行热氧化以在该单晶硅层之上形成顶部氧化层、底...