核心提示:一种碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法,其特征在于,包括:提供碳化硅基板;形成沟槽结构于碳化硅基板之中;形成单晶硅层于沟槽结构之上;进行热氧化以在该单晶硅层之上形成顶部氧化层、底部氧化层与侧壁氧化层...
一种碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法,其特征在于,包括:提供碳化硅基板;形成沟槽结构于碳化硅基板之中;形成单晶硅层于沟槽结构之上;进行热氧化以在该单晶硅层之上形成顶部氧化层、底部氧化层与侧壁氧化层;其中热氧化过程的实施温度小于1000℃。
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