存储器件的制作方法

一种存储器件的制作方法，包括：在栅氧层上形成控制栅多晶硅层，栅氧层形成于衬底上，衬底的有源区的周侧形成有环绕的STI结构；在控制栅多晶硅层上形成ONO；在所述ONO上形成浮栅多晶硅层；通过光刻工艺进行刻蚀，去除目标区域的控制栅多晶硅层、ONO和浮栅多晶硅层，剩余的控制栅多晶硅层形成存储器件的控制栅，剩余的浮栅多晶硅层形成存储器件的浮栅；进行各向同性的回刻蚀，去除STI结构侧面的氮氧化硅残留。本申请在进行ONO刻蚀后，通过回刻蚀去除STI结构侧面的氮氧化硅残留，降低了器件的漏电现象，提高了了器件的可靠性。

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