核心提示:本发明涉及单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法,衬底上设置有全桥电路,全桥电路包括均为长条形的两个磁阻单元Ⅰ和两个磁阻单元Ⅱ2,全桥电路分成上半部分的两个桥臂和下半部分的两个桥臂,磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2...
本发明涉及单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法,衬底上设置有全桥电路,全桥电路包括均为长条形的两个磁阻单元Ⅰ和两个磁阻单元Ⅱ2,全桥电路分成上半部分的两个桥臂和下半部分的两个桥臂,磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2平行相对,磁阻单元Ⅰ长轴方向与磁阻单元Ⅱ2的长轴方向一致;磁阻单元Ⅰ、磁阻单元Ⅱ2由磁性薄膜材料组成,磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2的自旋产生层的电流流向相反。本发明后期封装更为方便,可靠性强,且封装成本低,设计具有灵活性,根据不同应用,易于设计传感器的灵敏度和测量范围。