一种用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法

一种用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，位于基底上的源区外延区和漏区外延区；栅极结构包括：金属栅；包围金属栅侧壁和底部的功函数层；依附于功函数层侧壁的内侧墙；依附于内侧墙侧壁的SiN侧墙；栅极结构的SiN侧墙的侧壁形成有外侧墙；基底上形成有覆盖栅极结构的层间介质层；对栅极结构进行纵向回刻，去除栅极结构的部分，形成凹槽；去除SiN侧墙在凹槽的位置形成栓塞，使得在栅极结构的两侧去除SiN侧墙的位置形成空气侧墙。本发明在FinFET的制作过程中，在栅极侧墙位置形成空气侧墙以降低寄生电容。由于空气的介电常数比低K介质层和SiN小很多，有利于降低栅与接触孔之间的电容以及栅与源漏外延之间的寄生电容。

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