一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺

时间：2021/9/13 11:40:09 点击：

　　核心提示：本发明提供一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺，通过在烧结炉内的承烧板铺上14层环型素胚垫环，每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂，形成环型垫进行放置ITO靶筒素胚来进行烧结，解决了单节烧结长度变...

本发明提供一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺，通过在烧结炉内的承烧板铺上1‑4层环型素胚垫环，每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂，形成环型垫进行放置ITO靶筒素胚来进行烧结，解决了单节烧结长度变形、开裂问题，在行业技术取得革命性的变化，提升了客户使用良率，降低了成本。

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