核心提示：001 半导体存储器002 非易失半导体存储装置003 非易失性半导体存储装置004 用于低电压开关电容器电路的开关型运算放大器技术005 半导体存储器以及驱动半导体存储器的方法006 寻址和读出一个...
001 半导体存储器002 非易失半导体存储装置
003 非易失性半导体存储装置
004 用于低电压开关电容器电路的开关型运算放大器技术
005 半导体存储器以及驱动半导体存储器的方法
006 寻址和读出一个交叉点二极管存储器阵列
007 具有低写入电流的磁性随机存取内存
008 提高了抗软错误能力的半导体存储电路
009 具有页复制功能的半导体存储装置
010 移位寄存器及其驱动方法
011 用于非易失性存储器的受保护的实时写入
012 闪存的升压箝位电路
013 用于存储和再生音频和/或视频的设备
014 半导体集成电路器件
015 一写多读存储器件的脉冲串写入
016 交叉点二极管存储器阵列的并行访问
017 具有短读出时间的存储设备
018 存储器控制芯片、控制方法及控制电路
019 一种能够在常规方式和低耗电流方式之间转换的升压电路
020 具有带双寄存器的页缓存器的存储器设备及其使用方法
021 非易失性半导体存储器的编程方法
022 容错固态存储器
023 用于基于二极管的固态存储器的可编程地址逻辑
024 包含用于临时存储的非易失存储器的一次写入式存储设备
025 具有磁屏蔽层的磁存储器件及其制造方法
026 并行写入多位数据的薄膜磁体存储装置
027 具有软基准层的磁存储器件
028 半导体贮存器件和信息设备
029 半导体存储器件、数据处理器及确定频率的方法
030 非易失性半导体存储器和操作方法
031 RAM高速测试控制电路及其测试方法
032 搜索最长匹配的存储器系统
033 组合的按内容寻址存储器
034 具有读出放大器的半导体存储器
035 磁随机存取存储器及其读出方法、制造方法
036 磁随机存取存储器及其制造方法
037 磁随机存取存储器及其制造方法
038 半导体存储装置
039 半导体存储器的数据存取方法以及半导体存储器
040 通过双向电流写入数据的薄膜磁体存储装置
041 配有可从外部调整内部电源电位的内部电位产生电路的半导体集成电路装置
042 电压检测电路控制设备及其存储器控制设备和存储卡
043 半导体存储器及其控制方法
044 处理写命令的方法
045 磁随机存取存储器
046 半导体存储装置
047 闪存阵列中页面模式擦除
048 把数据位写入存储阵列的方法
049 磁存储器
050 磁存储器
051 高密度磁随机存取存储器及其操作方法
052 具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置
053 带自动决定最优写电流的磁阻随机存取存储器方法和装置
054 用于控制半导体存储设备的AC定时参数的电路及其方法
055 包含能产生足够恒定延时信号的延时电路的半导体存储器
056 驱动能力设定方法、驱动能力设定程序及其驱动电路
057 同步输入和输出数据的半导体器件、电路和方法
058 低功率的锁相感测放大器及将信号锁相感测放大的方法
059 使用一个双端口随机存储器实现两个先进先出队列的方法
060 多计数器的构造方法、多计数器及使用其的多队列装置
061 半导体集成电路器件及其制造方法
062 通过多次读取减小在非易失性存储器中的噪声影响
063 利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法及其电路
064 动态地隐藏存储器缺陷的方法及装置
065 具有多用途插脚引线的EEPROM存储芯片
066 半导体存储装置
067 动态预充电的电流感应放大器
068 能够降低编程能耗的用在MRAM设备中的磁轭结构及其生产方法
069 具有高精度的数据读出结构的薄膜磁体存储装置
070 具有许多存储器组的同步半导体存储器设备和控制该设备的方法
071 多重值闪存的写入与清除方式
072 具有加电读模式的非易失半导体存储器
073 半导体存储器件及采用半导体存储器件的电子信息设备
074 具有改良精确度的多输出电流镜像器
075 非易失性半导体储存器件及其数据读出方法
076 使用磁阻效应的半导体存储器件
077 具有隐藏式更新内存功能的1-T内存结构及其操作方法
078 半导体存储装置
079 低功率消耗的快闪存储器的传感电路
080 快闪存储器的数据擦除方法
081 将数据写入电流提供给多个存储块的薄膜磁存储装置
082 匹配线读出电路及方法
083 减少闪存中X译码器电容性负载以精确字符线和选择线的电压控制的方法
084 用于横跨一存储器阵列执行等电势读出以消除漏电流的方法和系统
085 位线电容能够最大的铁电存储器
086 半导体存储器件
087 减少非易失性存储器的编程和读取干扰的操作技术
088 用于对缺陷单元地址编程的缺陷单元地址编程电路和方法
089 含非易失存储单元的高稳定性半导体存储装置
090 非易失存储器、IC卡和数据处理系统
091 在闪存设备中获得均匀的磨损调整的系统和方法
092 通过外加磁场实行数据写入的薄膜磁性体记忆装置
093 磁性随机存取存储器
094 磁存储装置及其制造方法
095 用于磁性存储装置的合成铁磁体参考层
096 半导体存储装置及使用该器件的电子信息装置
097 薄膜磁性体记忆装置和采用其的流通及制造工序管理系统
098 共享全局性字线磁性随机存取存储器
099 将电荷俘获在绝缘膜内非易失性地存储信息的存储器
100 多重匹配检测电路及方法
101 半导体存储装置和控制方法
102 数据的安全写入
103 存储器矩阵的寻址
104 用于在无源矩阵存储器中执行读写操作的方法,以及执行该方法的装置
105 块级边读边写的方法及装置
106 降低负载值的只读存储器
107 基于边界扫描技术的FLASH器件在板编程方法
108 半导体电路器件
109 半导体装置
110 半导体存储器件
111 具有两个基准电压产生电路的内部电源电压控制装置
112 磁阻随机存取存储器及其制造方法
113 减少漏电流对动态电路元素的效应之方法
114 非易失存储器及其驱动方法
115 设有伪单元的薄膜磁性体存储装置
116 磁阻效应元件和具有该磁阻效应元件的磁存储器
117 多个存储单元共用存取元件的薄膜磁性体存储装置
118 具有串联二极管的磁随机存取存储器的三次取样读出
119 具有串接二极管的等电压感知式磁性随机访问存储器（MRAM）
120 热稳定的铁电体存储器
121 具有板线控制电路的铁电存储器件及其操作方法
122 可在电源电压相异的两个系统中使用的半导体装置
123 可转换为双存储单元结构的半导体存储器
124 需要刷新工作的半导体存储器
125 一种可重复使用的固态一次性可编程只读存储器
126 电可擦除可编程ROM结构更新机制的感测方法
127 不良分析方法
128 多阵列数据存储器的地址结构和方法
129 数据信号的相位控制方法，反时钟电路装置以及接口设备
130 具有电荷注入差动读出放大器的电阻性交叉点存储阵列
131 估算静态随机存储器半导体记忆胞元的记忆状态的微分电流估算电路及读数放大器...
132 带交叉耦合闩锁读出放大器的电阻交叉点存储单元阵列
133 半导体存储装置
134 相变材料电子存储器结构及其成形方法
135 移位寄存器装置及显示装置
136 数据读出数据线充电时间缩短的薄膜磁性体存储装置
137 磁存储器的导体结构
138 半导体存储器的改进结构
139 具有测试模式的半导体存储器及应用它的存储系统
140 附有额外负载单元的两阶段读出放大器的存储器
141 使用指针来更新非挥发性内存的系统与方法
142 遮幕式只读存储器
143 半导体存储器
144 半导体器件分析系统
145 存储装置
146 磁隧道结磁阻随机存取存储器并联─并联结构
147 半导体存储装置及其测试方法和测试电路
148 用于高速存储器的同时差分数据读出和捕获的方法与装置
149 加速信号线对之间的信号均衡的方法和装置
150 磁存储装置
151 磁存储器
152 半导体存储器延迟电路
153 半导体存储器
154 半导体存储器件
155 具有存储部件的存储器
156 串接电容以增加崩溃抵抗力的闪速存储器充电电路
157 NAND型快闪存储器磁盘装置及检测逻辑位址的方法
158 移位寄存器、数据线驱动电路以及扫描线驱动电路
159 检测快闪存储器逻辑位址的方法
160 多端口扫描链寄存器装置和方法
161 缩小的多端口寄存器单元
162 预防快闪存储器栅极接面崩溃耦合电路及存储器电路
163 半导体存储器
164 磁存储装置
165 设有数据读出参照用伪单元的薄膜磁性体存储装置
166 磁阻效应元件和磁存储器
167 磁性体逻辑元件及磁性体逻辑元件阵列
168 磁存储装置的制造方法
169 磁存储装置
170 随机存取存储装置及其驱动方法
171 设有不需要刷新操作的存储器单元的半导体存储装置
172 备有无需刷新动作的存储单元的半导体存储装置
173 半导体存储装置
174 半导体存储器中的自动预充电控制电路及其方法
175 供多阶快闪存储器用的快速低电压电流模式识别电路
176 闪存阵列擦除后的调整装置及方法
177 非挥发性存储器的测试方法
178 测试存储设备的方法
179 半导体器件的控制方法以及半导体器件
180 半导体存储器
181 半导体存储器
182 非易失多层存储器装置
183 快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路及方法
184 半导体集成电路装置及其读出开始触发信号的发生方法
185 一种用于非挥发性存储器的平衡对称式读出放大电路
186 利用连续数据变化检测存储器的方法
187 快速判别字元线的缺陷型态的方法
188 用以控制一非同步先进先出记忆体的装置及其操作方法
189 具有双隧道结的磁阻存储器件
190 具有一对共享一条公共导线的磁性位的存储设备阵列
191 分割为多个存储器块的磁性体存储器阵列的写入电路结构
192 强感应体存储器及其动作方法和存储器装置
193 半导体存储器
194 数据保持电路
195 大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法
196 无体效应影响的电压提升电路
197 信息存储设备
198 半导体存储装置及其更新方法
199 闪存的丛发装置
200 高速存储器总线上的同步写数据
201 同步行和列存取操作的方法和装置
202 跨越时钟域边界的方法和装置
203 非易失性存储器中可靠的数据拷贝操作的新颖方法和结构
204 采用脉宽调制技术的感应升压泵的调节器设计
205 闪存中的字线译码结构
206 存储单元构件及生产方法
207 具有统一的存取执行时间的高速动态随机存取存储器结构
208 非易失性存储器中的导引门和位线分隔
209 用于增加写入选择性的MRAM结构
210 提供低温度系数电压参考的EEPROM电路、电压参考电路和方法
211 具有支持隐藏式刷新的双端口单元的半导体存储器
212 具有用于嵌入式非易失性存储器的自测试器件的集成电路及相关测试方法
213 与传播延迟无关的SDRAM数据收集设备和方法
214 对大电容性负载上的模拟电压实现快速切换的系统和方法
