核心提示：001 改进编程的非易失性存储器及为此的方法002 多端口压缩sRAMs(静态随机存取存储器)的真速内建自测试003 具有对称型双信道的快擦写存储器的操作方法004 具有USB接口的便携式可读写存储器...
001 改进编程的非易失性存储器及为此的方法002 多端口压缩sRAMs(静态随机存取存储器)的真速内建自测试
003 具有对称型双信道的快擦写存储器的操作方法
004 具有USB接口的便携式可读写存储器及其数据管理的方法
005 具有可自动切断的预先充电路径的高速感应放大器
006 用于存储设备的读出放大器
007 一写多读存储器件的写脉冲限制
008 适合宽频带的寄存器和信号发生方法
009 包含偏移导体的磁随机存取存储器件
010 非挥发性存储器电路
011 存储模块
012 含有嵌入导体的软基准层的磁阻器件
013 具有软基准层的磁阻器件的读取方法
014 仿真铁电内存极化松驰现象的电路结构
015 用于存储存储器测试信息的方法和装置
016 板线读出
017 光折射全息记录介质
018 每个存储单元具有多位的磁存储器件
019 集成逻辑电路和电可擦可编程只读存储器
020 在内部产生内部数据读出时序的半导体存储器件
021 非易失性半导体存储装置及重写方法
022 一种快闪存储设备的驱动方法
023 于目标记忆位置中储存大量资料之方法及储存系统
024 利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器
025 用于同步集成电路存储装置的数据输出电路
026 备有磁轭层的磁存储装置及其制造方法
027 动态随机存取存储器以及用于单级读出的方法
028 铁电体存储装置及其读出方法
029 双端口静态存储器单元和包括该单元的半导体存储器装置
030 可重覆写入的非挥发性储存的储存系统与其写入方法
031 可稳定工作的半导体存储器
032 具有伪存储单元的静态半导体存储装置
033 半导体存储器件以及控制半导体存储器件的方法
034 半导体存储器件中的内部电压源发生器
035 不需使用冗余栏位的非挥发记忆储存系统及其写入方法
036 以快闪存储器模拟电子抹除式可编程只读存储器的系统及方法
037 缩短测试所需时间的半导体存储器
038 读出电路
039 带有偏置-补偿读出系统的半导体存储器件
040 具非挥发记忆胞元配置之集成内存以及制造和操作该集成内存的方法
041 用于只读存储器的扩展使用的存储管理逻辑单元
042 用于在缓冲存储系统中提供可靠传输的系统和方法
043 多路存储接口的缓冲器
044 集成磁阻半导体存储器装置
045 具有内建自测功能的存储模块和存储部件
046 用于在动态随机存取存储器中隐藏刷新的方法和系统
047 无源矩阵存储器的读出装置及与其一起使用的读出方法
048 非易失性无源矩阵及其读出方法
049 半导体存储器
050 磁阻式随机存取存储单元的编程方法与编程电路
051 磁阻式随机存取存储器电路
052 定时调整电路和半导体存储装置
053 半导体存储装置
054 加密集成电路防电源攻击方法
055 用于选择功率下降退出的装置和方法
056 静态半导体存储装置及其控制方法
057 非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法
058 存储器存取方法
059 修复存储器缺陷的方法和装置
060 存取电路
061 铁电存储器件及其编程方法
062 多重位闪存的参考电流产生电路
063 半导体存储器装置以及半导体集成电路
064 半导体存储器
065 非易失性存储器
066 具有多阶输出电流的非易失存储器编程、读取与擦除方法
067 高速、低压非易失存储器
068 多重位闪存的参考电流产生电路
069 多重位闪存的参考电流产生电路
070 具备磁隧道结的薄膜磁性体存储器
071 多位磁性存储器
072 半导体存储器件及其检查方法
073 可削减输入输出端子的半导体存储器
074 半导体存储器件及其控制方法
075 即时多路复用且可快速复制数据的闪速存储器装置
076 可降低功率消耗的电源供应装置
077 移位寄存器和具有同样移位寄存器的液晶显示器
078 在内存中存放校验码的方法及装置
079 抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
080 磁随机存取存储器
081 双位存储器及一双位选择的位线解码设计及电路
082 使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法
083 用于存储器装置的时钟产生器
084 半导体集成电路器件
085 包括有源负载电路的集成电路存储器件及其相关方法
086 提供适当编程电压的非易失性半导体存储设备
087 读取电路及包括该电路的半导体存储装置
088 非易失性半导体存储设备
089 具有稳定源线不考虑位线耦合及加载效应的快闪存储设备
090 带由分离读写信号驱动逻辑行解码器电路的边读边写闪存
091 并行处理数据读出与写入的薄膜磁性体存储器
092 低消耗电流半导体存储装置
093 读取电路、参考电路和半导体存储装置
094 半导体存储器
095 存储3值数据信号的半导体存储装置
096 进行一致性比较动作的非易失存储装置
097 非易失性半导体存储器及其操作方法
098 提高了可冗余补救的概率的非易失性半导体存储器
099 半导体存储装置
100 ROM单元及其编程方法和布局方法以及ROM器件
101 磁阻性内存及其读取方法
102 存储设备及其操作方法
103 半导体存储器及其更新控制电路
104 边界可寻址存储器
105 自内存胞元铁电晶体管中读出及存入状态之方法及记忆矩阵
106 为闪存储器和其他应用提供电压的感应电荷泵
107 用于隔离堆栈存储器的有缓存器的存储器模块
108 磁阻随机存取存储器写入装置及方法
109 并列测试及烧录系统中读取半导体晶元资料之方法
110 MRAM记忆胞元非破坏性自行正常化读出电路
111 双位存储器擦除校验方法及系统
112 存储器存储阵列的内置自修复的方法与装置
113 一种引导程序存储装置及其保障在线升级的方法
114 薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件
115 使用单独三端非易失存储元件的存储器阵列及其形成方法
116 半导体存储器件
117 半导体存储装置及其驱动方法
118 磁阻式存储单元结构及磁阻式随机存取存储器电路
119 抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器
120 磁电阻效应元件和磁存储器
121 具有9的倍数位的数据输入/输出结构的半导体存储装置
122 基于伪单元方法的半导体存储器件
123 半导体存储器及其控制方法
124 存储器测试电路
125 用在MRAM器件中的改进的二极管及其制造方法
126 磁性存储器件和方法
127 能够校准的存储器设备及其校准方法
128 非易失性存储器和半导体集成电路器件
129 能够实现冗余单元阵列正确替换的半导体存储器
130 数据输出电路和数据输出方法
131 一个相变材料存储设备的刷新存储器单元
132 非易失性存储装置
133 高速信号通道及方法
134 可编程熔丝和反熔丝及其方法
135 半导体存储器以及其动作模式的输入方法
136 分析和修复存储器的方法和装置
137 MRAM排列
138 非易失性磁高速缓冲存储器
139 半导体记忆装置的选择装置
140 MRAM位线字符线结构
141 非直角MRAM组件
142 用于非破坏性读出的方法和使用该方法的设备
143 铁电存储电路及其制造方法
144 故障分析装置
145 具有增强测试能力的半导体存储设备
146 非易失性半导体存储装置
147 磁存储装置及其制造方法
148 磁随机存取存储器及其制造和驱动方法
149 用于磁阻元件的铁磁层
150 使用了金属镶嵌工艺的磁存储器件及其制造方法
151 非易失性可变电阻器，存储器件，及其定标法
152 具有加速模式的寄存器控制的延迟锁定回路
153 能够进行高速处理的半导体存储装置
154 数据存取时间降低的半导体存储装置
155 半导体存储装置及其制造方法
156 具有自行更新装置以减少功率耗损的半导体存储装置
157 半导体存储设备
158 电压提升电路及静态随机存取存储器、半导体装置
159 非易失性存储器系统内有效允许失序写处理的方法和装置
160 管理非易失存储器系统中的数据完整性的方法和装置
161 非易失性存储器系统内纠错码的混合实现
162 嵌入式DRAM阵列的测试方法
163 半导体存储装置
164 半导体集成电路
165 磁随机存取存储器
166 半导体存储装置
167 半导体存储装置
168 半导体储存器和半导体储存器的测试方法
169 具有被分割成块的存储器单元阵列的半导体存储器设备
170 适合于超高速缓冲存储器的非易失性存储器
171 在闪存装置中用于不同操作的专用冗余电路及其操作方法
172 降低存储单元数据误读出率的非易失半导体存储装置
173 用于磁性随机存取存储器的反铁磁性耦合的双层传感器
174 磁存储器件、写入磁存储器件的方法和从磁存储器件读出的方法
175 磁随机存取存储器
176 磁性随机存取存储器及其数据写入方法
177 具有动态存储单元的同步半导体存储装置及其操作方法
178 控制内部电源电压的加电斜率的内部电压转换器方案
179 半导体存储器件
180 在半导体存储装置中提供页面模式操作的电路和方法
181 电源供给装置及其电源供给方法
182 半导体存储器件
183 非数据存取时低耗电的半导体存储装置
184 半导体存储器器件的位线预充电电路
185 具有冗余结构的存储器电路
186 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体阵列金属位结构及单个单元操作
187 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体的控制栅极及字线电压升压设计
188 多层聚合物膜及其用途
189 半导体记忆装置之感测放大器排列
190 磁阻随机存取存储器构架和系统
191 具有电荷泵像素单元的空间光调制器
192 非易失性存储装置及其控制方法
193 非破坏性读出
194 闪存阵列中的核心存储单元的软程序及软程序校验
195 具有存储区块搬移功能的储存装置及其方法
196 多位元线存储单元和电路
197 同步半导体存储器件及在其中产生输出控制信号的方法
198 含有输入/输出线对和预充电电路的集成电路器件
199 带有单元比率小的存储单元的半导体存储装置
200 半导体存储设备
201 半导体存储装置
202 用于高速输出数据的管线锁存器电路
203 可稳定地进行数据写入的存储装置
204 磁随机访问存储器
205 磁单元和磁存储器
206 单端静态随机存取存储器
207 用于改变在半导体存储器器件中的页长的电路和方法
208 升压电路和含有这种升压电路的非易失性半导体存储器件
209 移位寄存器块及具备它的数据信号线驱动电路、显示装置
210 实现冗长置换且可高速读出的存储装置
211 设有含磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置
212 磁随机存取存储器
213 磁存储器件、写电流驱动电路以及写电流驱动方法
214 非易失性半导体存储装置
