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晶体二极管制造方法相关专利技术

时间:2020/4/28 14:46:58 点击:

  核心提示:1、CN02118770.3 用掺钕硼酸钆铝晶体制造的激光二极管泵浦的自倍频蓝色激光器2、CN02823012.4 使用非晶硅晶体管的有源矩阵有机发光二极管3、CN03108527.X 显示装置、发光...
1、CN02118770.3 用掺钕硼酸钆铝晶体制造的激光二极管泵浦的自倍频蓝色激光器
2、CN02823012.4 使用非晶硅晶体管的有源矩阵有机发光二极管
3、CN03108527.X 显示装置、发光二极管屏、薄膜晶体管控制装置及方法
4、CN03146362.2 有源矩阵型有机发光二极管器件及其薄膜晶体管
5、CN03119331.5 有机发光二极管显示器的薄膜电晶体导线结构以及制程
6、CN03155356.7 借助晶体管从光电二极管读取信号的半导体器件
7、CN88105171.3 晶体二极管感温控温器
8、CN96119206.2 有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制造方法
9、CN97228559.8 改进结构的用激光二极管激发驱动晶体的绿光激光装置
10、CN98802409.8 在同一衬底上制造一个异质结双极型晶体管和一个激光二极管
11、CN200410084702.9 金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管结合的瘦小外形封装
12、CN200410001988.X 具有光子晶体的发光二极管及其装置
13、CN200420012133.2 半导体二极管泵浦的组合晶体式的激光器结构
14、CN200480043516.9 有凹进箝位二极管的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
15、CN200510002913.8 基于二维光子晶体的光二极管及其制备方法
16、CN200510004572.8 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
17、CN200510011901.1 光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法
18、CN200510017007.5 导电态聚苯胺 纳米晶体TiO sub 2  sub 异质结二极管及制备方法
19、CN200510072702.1 鳍型场效应晶体管二极管结构及其制造方法
20、CN200510078438.2 在发光二极管中制备光子晶体的方法及其装置
21、CN200510080490.1 驱动有机发光二极管的薄膜晶体管及其制造方法
22、CN200510102376.4 一种利用无电解电镀制作二极管晶体的方法
23、CN200510110629.2 氮化镓基光子晶体激光二极管
24、CN200520109672.2 制备发光二极管光子晶体的装置
25、CN200610049850.6 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的方法和装置
26、CN200610091210.1 具有作为开关单元的晶体管和二极管的非易失性存储器
27、CN200610148071.1 激光二极管侧面泵浦的铥钬双掺的氟化镥锂晶体激光器
28、CN200620101708.7 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的装置
29、CN200620132795.2 晶体发光二极管室内照明灯

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