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一种微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺，包括以下步骤：在N型单晶硅片的背面扩散一层浓磷；在高温下进行浓磷再扩散，形成器件内二极管的阴极区和三极管的集电区；在硅片正面进行液态硼源扩散...
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一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法，目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流，降低反向阻断损耗，提高电路效率，包括以下步骤：位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶...
一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮极性面氮化镓共振隧穿二极管材料生长极性控制难度大、位错密度高，器件自热效应及微分负阻效应稳定性和重复性退化问题。其自下而...
一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N漂移层的表面进行氧化层的淀积；通过光刻...
