核心提示：1、外延薄膜形成的方法与装置2、外延薄膜表面保护测试技术3、一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法4、外延薄膜厚度测量方法5、降低外延薄膜缺陷的退火方法及利用该方法得到的外延薄膜6、氧化镓外延薄膜及生长氧化...
1、外延薄膜形成的方法与装置2、外延薄膜表面保护测试技术
3、一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
4、外延薄膜厚度测量方法
5、降低外延薄膜缺陷的退火方法及利用该方法得到的外延薄膜
6、氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法
7、钇钡铜氧高温超导双面外延薄膜
8、Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法
9、低成本GaN外延薄膜的制备方法
10、自分裂GaN基外延薄膜转移方法
11、利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法
12、提高AlN外延薄膜荧光强度的方法
13、一种锰氧化物外延薄膜及其制备方法
14、一种AlN外延薄膜生长方法
15、一种制备SnO外延薄膜的方法
16、在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法
17、一种AlN外延薄膜制备方法
18、一种非极性Ⅲ族氮化物外延薄膜
19、一种SiC外延薄膜的生产工艺
20、一种外延薄膜的制备方法
21、一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法
22、硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法
23、一种氧化镓外延薄膜的生长方法
24、一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法
25、锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用
26、低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法
27、一种镱酸铋单晶外延薄膜及其制备方法
28、一种单斜相二氧化钒外延薄膜及其制备方法
29、一种单晶硅衬底锗外延薄膜的制备方法
30、一种快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法
31、N掺杂CrO2外延薄膜及其制备方法
32、一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
33、一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用
34、一种气敏型LaCoO3外延薄膜的制备方法
35、一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
36、制备磁性半导体外延薄膜的方法及其制品
37、一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法
38、基于p型掺杂的六方氮化硼外延薄膜制备方法
39、一种二氧化钛单晶外延薄膜的制备方法
40、一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法
41、一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法
42、一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
43、一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法
44、一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法
45、一种用于高介电常数栅介质的外延薄膜及其制备方法
46、具有各向异性磁阻效应的锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用
47、一种用于电极材料的氮化钛外延薄膜的制备方法
48、一种钛铌铁酸盐或铌铁酸盐外延薄膜及其制备方法和应用
49、低位错密度AlxGa1-xN外延薄膜的制备方法
50、一种低电阻率p型氧化亚铜外延薄膜的制备方法
51、一种生长掺杂界面清晰的碳化硅外延薄膜的制备方法
52、一种基于SOI衬底的GaAs外延薄膜及其制备方法和应用
53、镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用
54、一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用
55、大面积原子级精度激光分子束外延薄膜制备系统及方法
56、一种氧化镓外延薄膜的制备方法
57、一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法
58、一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜及其制备方法
