核心提示:涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件,所述太阳能电池包括半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;位于所述半导体衬底的第一表面上的第一钝化层和第一电极层;位于所述半导体衬底的第二表面的第...
涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件,所述太阳能电池包括半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;位于所述半导体衬底的第一表面上的第一钝化层和第一电极层;位于所述半导体衬底的第二表面的第二钝化层和第二电极层;其中,在所述第一钝化层和所述半导体衬底的第一表面之间设有给体材料膜层,和/或,在所述第二钝化层和所述半导体衬底的第二表面之间设有受体材料膜层。本申请通过在晶硅层和非晶硅层之间设置给体材料膜层、受体材料膜层,阻挡了半导体衬底和钝化层的接触,抑制硅的外延生长,从而有效改善钝化效果,提升电池转换效率。