核心提示:一种并联的电容结构及其制作方法,其中该并联的电容结构包含一基底,一沟槽埋入于基底中,多个电极层各自顺应沟槽的轮廓填入并覆盖沟槽,多个电极层由多个第n个电极层组成,其中n为依序由1至M的正整数,M不小于...
一种并联的电容结构及其制作方法,其中该并联的电容结构包含一基底,一沟槽埋入于基底中,多个电极层各自顺应沟槽的轮廓填入并覆盖沟槽,多个电极层由多个第n个电极层组成,其中n为依序由1至M的正整数,M不小于3,并且数字较小的第n个电极层较靠近沟槽的侧壁,沟槽的正中心由第M个电极层填入并且第M个电极层的上表面和基底的上表面切齐,一电容介电层设置于相邻的电极层之间,一第一导电插塞接触n为奇数的第n个电极层,一第二导电插塞接触n为偶数的第n个电极层。