核心提示:一种微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺,包括以下步骤:在N型单晶硅片的背面扩散一层浓磷;在高温下进行浓磷再扩散,形成器件内二极管的阴极区和三极管的集电区;在硅片正面进行液态硼源扩散,形成一定深度的二极...
一种微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺,包括以下步骤:在N型单晶硅片的背面扩散一层浓磷;在高温下进行浓磷再扩散,形成器件内二极管的阴极区和三极管的集电区;在硅片正面进行液态硼源扩散,形成一定深度的二极管补硼区;通过离子注入硼对三极管的基区进行掺杂;通过正面液态硼源扩散在正面形成晶闸管的短基区以及三极管的基区补硼区;在三极管基区上通过离子注入磷形成三极管的发射区;正面光刻出引线窗口,同时在边缘开出划片槽;通过LPCVD在表面沉积一层多晶硅;光刻刻出引线孔;正、背面金属化后,得到芯片;本发明制得的芯片具有小型化、防浪涌能力高、成本低、可靠性高等优点。