半导体器件和半导体器件制作方法

一种半导体器件和半导体器件制作方法，器件包括：带有两个凹槽的第一外延片、第一介质层，第一外延片中包括二维电子气结构层；第一介质层淀积在两个凹槽内，其上表面低于二维电子气结构层的下表面；两个凹槽内的第一介质层上淀积有第一金属层，形成源极和漏极；栅极由第二金属层在第一外延片上表面的指定位置淀积形成。该半导体器件在漏极、源极分别对应的金属层下方填充有低介电常数的第一介质层，且第一介质层的深度低于二维电子气结构层，该结构形式可以降低栅极、源极和漏极之间相互耦合产生的寄生电容效应，进而可以提升器件的工作频率，由于不需要改变栅长，可以在控制器件制作成本的同时，保证器件的成品率和可靠性。

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