核心提示:一种半导体腔室及半导体工艺设备,所述半导体腔室包括内衬件(200),所述内衬件(200)界定溅射空间(201),所述内衬件(200)开设有第一通孔(202),所述溅射空间(201)与所述第一通孔(20...
一种半导体腔室及半导体工艺设备,所述半导体腔室包括内衬件(200),所述内衬件(200)界定溅射空间(201),所述内衬件(200)开设有第一通孔(202),所述溅射空间(201)与所述第一通孔(202)相连通,其特征在于,所述半导体腔室还包括:遮挡件(300),所述遮挡件(300)环绕设置于所述内衬件(200)之外,且遮盖所述第一通孔(202),所述遮挡件(300)与所述内衬件(200)围成装配间隙(510),所述装配间隙(510)与所述半导体腔室内除所述溅射空间(201)之外的容纳空间通过所述装配间隙(510)连通。上述方案能够解决半导体腔室的洁净度较差的问题。