核心提示:一种深紫外发光二极管及其制作方法,涉及LED技术领域。其中,深紫外发光二极管包括:层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二电流扩展层、键合金属层以及衬底,与有源层同层设置在第一半导体层上的第...
一种深紫外发光二极管及其制作方法,涉及LED技术领域。其中,深紫外发光二极管包括:层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二电流扩展层、键合金属层以及衬底,与有源层同层设置在第一半导体层上的第一电流扩展层,形成在第一电流扩展层上的第一绝缘保护层,贯穿第一半导体层并与第一电流扩展层电连接的第一电极,与第二电流扩展层电连接的第二电极。深紫外发光二极管的制作方法则包括:依次层积第一半导体层、有源层和第二半导体层;在未被有源层覆盖的第一半导体层上层积第一电流扩展层;在第二半导体层上层积第二电流扩展层;对第一电流扩展层或第二电流扩展层进行高温退火。如此,可避免高温退火影响金属键合效果。