HEMT器件及其自隔离方法、制作方法

一种HEMT器件及其自隔离方法、制作方法。所述自隔离方法包括：在表面具有图形化低温结晶层的衬底上外延生长具有横向极性结构的外延层，并通过调控外延生长条件，使形成的金属极性区的表面和氮极性区的表面之间存在设定高度差，从而使所述金属极性区和氮极性区中的任一者之内形成的二维电子气或二维空穴气被另一者隔断，该任一者用于制作HEMT主体结构。本发明实施例提供的一种HEMT器件的隔离方法，在外延结构生长完成时即同步实现隔离，无需额外进行光刻、等离子体刻蚀或离子束注入等工艺。

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