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一种存储器件的制作方法，包括：在栅氧层上形成控制栅多晶硅层，栅氧层形成于衬底上，衬底的有源区的周侧形成有环绕的STI结构；在控制栅多晶硅层上形成ONO；在所述ONO上形成浮栅多晶硅...
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