核心提示：1 适用于频率倍增的单模激光器及其构造方法（美国-25页）2 可磁调谐并可闩锁的宽范围半导体激光器（美国-14页）3 带有共享抽运泵的光纤激光器（美国-10页）4 稳定的分布反馈激光器（美国-27页）...
1 适用于频率倍增的单模激光器及其构造方法（美国-25页） 2 可磁调谐并可闩锁的宽范围半导体激光器（美国-14页）
3 带有共享抽运泵的光纤激光器（美国-10页）
4 稳定的分布反馈激光器（美国-27页）
5 固态染料激光器（美国-37页）
6 半导体激光器光波导电信模块及其制造方法（美国-18页）
7 压缩调谐的布拉格光栅和激光器（美国-24页）
8 半导体－固态激光器光波导泵激装置和方法（美国-18页）
9 自锁模量子级联激光器（美国-23页）
10 分布式反馈表面等离子体振子激光器（美国-18页）
11 可靠的、模块化的、制造质量的窄带KrF激子激光器（美国-38页）
12 具有包含抑弧机构的电极组件的激光器（美国-31页）
13 带扭折抑制层的半导体激光器（美国-26页）
14 微机电调谐共焦垂直腔面发射激光器与法布里－珀罗滤光器（美国-31页）
15 用于波长稳定激光器的主动数值温度补偿的方法及装置（美国-20页）
16 稳定半导体激光器的方法与装置（美国-19页）
17 降低蓝移的InP基激光器（美国-19页）
18 用于照明的垂直腔面发射激光器阵列（美国-11页）
19 微腔半导体激光器（美国-25页）
20 用二极管激光器抽运的固体激光增益模块（美国-22页）
21 具有可见光分布布拉格反射器的垂直谐振腔表面发射激光器（美国-9页）
22 短波长垂直腔表面发射激光器及其制造方法（美国-13页）
23 P在下的低阻的上发射脊垂直腔面发射激光器和制造方法（美国-9页）
24 高温不用冷却的二极管激光器（美国-17页）
25 Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器及其制造方法（美国-15页）
26 具有腔内结构的纵腔式表面发射激光器（美国-33页）
27 竖直腔面发射激光器光学互连工艺（美国-27页）
28 晶体管与竖直腔面发射激光器的集成化（美国-29页）
29 外腔半导体激光器（美国-19页）
30 微片型激光器（美国-22页）
31 气体激光器（美国-20页）
32 具有大体平面的波导的激光器（美国-19页）
33 半导体激光器元件（德国-11页）
34 激光器波长稳定方法及实现此方法的装置（德国-24页）
35 线型半导体激光器列阵的光束的导光和整形装置（德国-22页）
36 具有激光器阵列的激光器件及其制造方法（德国-17页）
37 二倍频二极管泵激固体激光器（德国-12页）
38 大功率气体混合物激光器（法国-13页）
39 应用掺钕铝酸镁镧单晶的激光器（法国-10页）
40 外腔激光器（英国-12页）
41 激光器装置（英国-19页）
42 波导激光器（英国-33页）
43 一种激光器（英国-30页）
44 激光器件（英国-22页）
45 侧向约束激光器（瑞典-6页）
46 可调谐激光器及其调谐方法（瑞典-13页）
47 测定可调谐激光器的方法（瑞典-10页）
48 使可调谐激光器特征化并确定实际波长的方法（瑞典-12页）
49 锁定波长和监测可调谐激光器的模式的方法（瑞典-11页）
50 InP－基多量子阱激光器（瑞典-9页）
51 半导体二极管激光器及其制造方法（荷兰-25页）
52 半导体激光器及其制造方法（日本-29页）
53 Q开关激光器装置（日本-27页）
54 面发光激光器及其制造方法（日本-20页）
55 III－V氮化物半导体激光器件（日本-18页）
56 模制型半导体激光器（日本-12页）
57 光半导体激光器装置及其制造方法（日本-38页）
58 半导体激光器激励的固体激光器（日本-15页）
59 半导体激光器件及其制造方法（日本-33页）
60 自激脉冲半导体激光器（日本-28页）
61 固体激光器（日本-9页）
62 多波长面发射激光器及其制造方法（韩国-12页）
63 垂直腔表面发射激光器（韩国-7页）
推广期间全套专利技术资料仅需3800元
