核心提示：1、光刻胶用剥离液组合物2、光刻胶组合物3、光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法，其中含有 (a)氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化甲基三丁基铵、氢氧化甲基三丙基铵等季铵氢氧化物、(b)水...
1、光刻胶用剥离液组合物2、光刻胶组合物
3、光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法，其中含有 (a)氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化甲基三丁基铵、氢氧化甲基三丙基铵等季铵氢氧化物、(b)水溶性胺、(c)水、(d) 防腐蚀剂、以及(e)水溶性有机溶剂，(a)成分与(b)成分的配合比例为(a)成分：(b)成分＝1∶3～1∶10(质量比)。另外还提供使用该剥离液的光刻胶剥离方法。本发明的剥离液对于Al和 Cu等金属布线的防腐蚀性、以及对于光刻胶膜和灰化残渣物、金属淀积物的剥离性优良。另外，对于Si类残渣物的剥离性和对于基板(特别是Si基板内面)的防腐蚀性也优良。
4、反射防止膜的光学常数的决定方法和光刻胶图形的形成方法
5、光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法
6、光刻胶组合物
7、用于深紫外线辐射的光刻胶组合物
8、化学放大型正性光刻胶组合物
9、检测光刻胶剥离过程终点的方法和装置
10、化学增强光刻胶及一种光刻胶合成物
11、光刻胶图案的形成方法和光刻胶层合体
12、光刻胶剥离剂组合物
13、光刻胶层中减小图案大小的方法
14、具有酸反应性基团的新颖含氟聚合物以及使用这些材料的化学增幅型光刻胶组合物
15、光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法
16、光刻胶去除剂混合物
17、负作用化学放大的光刻胶组合物
18、环状锍和氧化锍及含有它们的光致酸生成剂和光刻胶
19、感光性树脂组合物、使用它的感光性元件、光刻胶图案的制造方法及印刷电路板的制造方法
20、光刻胶剥离组合物及清洗组合物
21、用于剥离光刻胶的组合物
22、用于深紫外线的光刻胶组合物及其方法
23、用于形成防反射膜的涂布液组合物、光刻胶层合体以及光刻胶图案的形成方法
24、包括氟化铵的光刻胶去除剂组合物
25、光刻胶剥离除去方法及装置
26、用于有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中的蚀刻后由氢进行的光刻胶剥离
27、将干燥光刻胶膜层热层压到印刷电路板上的方法
28、稳定的离聚物光刻胶乳状液及其制备方法和应用
29、超强酸催化的无显影气相光刻胶
30、有机碱催化的无显影气相光刻胶
31、用于微电子的无胺光刻胶粘接促进剂
32、含光刻胶的废液的处理
33、彩色显象管荧光屏的形成方法和光刻胶的组合物
34、彩色显象管荧光屏的光刻胶组合物
35、在光刻胶中使用多支线型酚醛树酯的方法
36、制备用于高分辨率光刻胶组合物的高玻璃化温度线型酚醛树脂的方法
37、正向作用的光刻胶
38、光刻胶和光学应用用的低光密度聚合物和共聚物的制备方法
39、含有非离子氟代烃表面活性剂的水性光刻胶
40、含有氨基丙烯酸酯中和的粘合剂的带水光刻胶
41、光刻胶剥离液管理装置
42、形成光刻胶图形的方法
43、具有联合增稠剂的带水光刻胶
44、正性光刻胶
45、检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差的方法
46、光刻胶剥离液管理装置
47、光刻胶组合物
48、在半导体器件上形成光刻胶膜的装置及其形成方法
49、在半导体晶片上形成光刻胶图形的方法
50、用于在制造半导体过程中清洗光刻胶的清洗剂制品
51、用由假图形所形成的光刻胶掩模将层精确构图成目标图形的方法
52、化学增强的光刻胶
53、化学增强的光刻胶
54、无高温蒸馏酚醛清漆树脂分离法和光刻胶组合物
55、通过螯合型离子交换树脂降低光刻胶组合物中的金属离子
56、光刻胶正胶组合物
57、包括具有酸不稳定侧基的多环聚合物的光刻胶组合物
58、在化学敏感型光刻胶上形成图形的方法
59、用于准确地转换非均匀厚度光刻胶层中的潜像的工艺
60、正性光刻胶组合物的热处理方法
61、正性光刻胶组合物的热处理方法
62、含2,4-二硝基-1-萘酚的正性光刻胶组合物
63、光刻胶组合物用的水性抗反射涂料
64、光敏树脂组合物和用于生产印刷电路板的光刻胶油墨
65、光刻胶组合物
66、形成光刻胶图形的方法
67、光刻胶组合物
68、光刻胶的显影工艺
69、作为合成酚醛清漆树脂的催化剂的酸性离子交换树脂和由该树脂制得的光刻胶
70、光刻胶喷涂的装置及其方法
71、对于高粘度光刻胶涂层的无条纹涂敷方法
72、光刻胶的涂覆装置和涂覆方法
73、碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
74、酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
75、用于正性光刻胶的混合溶剂系统
76、化学增强的光刻胶
77、一种干膜光刻胶
78、化学放大型正光刻胶组合物
79、改善光刻胶耐蚀刻性的方法
80、含有环烯烃聚合物及饱和甾族添加剂的光刻胶组合物
81、环状烯烃聚合物和添加剂的光刻胶组合物
82、化学增强型正光刻胶组合物
83、化学增强型光刻胶
84、改善光刻胶耐刻蚀性的方法
85、包含具有酸不稳定侧基的多环聚合物的光刻胶组合物
86、含有环烯烃聚合物及疏水非甾族多脂环添加剂的光刻胶组合物
87、环烯烃聚合物与疏水性非甾族脂环添加剂的光刻胶组合物
88、含包括酸不稳定侧基的多环聚合物的光刻胶组合物
89、用于多层光刻胶方法的热固性聚酯防反射涂料
90、光刻胶正胶组合物
91、用于高光敏度高抗蚀厚涂层i－线光刻胶的磺酰肟类
92、一种化学增强型正光刻胶组合物
93、包含新的光活性化合物的正性光刻胶
94、用于光刻胶组合物的抗反射涂料组合物及其用途
95、分级酚醛清漆树脂共聚物以及由其得到的光刻胶组合物
96、厚膜光刻胶的低温金属化制备方法
97、含缩聚物的光刻胶组合物
98、一种形成光刻胶图形的方法
99、在集成电路生产中清洗光刻胶的组合物
100、光刻胶组合物,其制备方法和用其形成图纹的方法
101、光刻胶残渣去除剂
102、光刻胶膜去除方法及其所用装置
103、产生粒子少的光刻胶组合物的制造方法
104、制造光活性化合物以及由其制造光刻胶的方法
105、光刻胶洗涤组合物
106、水溶性负性光刻胶组合物
107、具有腈和脂环族离去基团的共聚物和包含该共聚物的光刻胶组合物
108、化学放大型正光刻胶组合物
109、化学放大型正光刻胶组合物
110、化学放大型正光刻胶组合物
111、化学增强型正光刻胶组合物和锍盐
112、用于正性光刻胶的混合溶剂体系
113、光刻胶及微平版印刷术
114、化学放大型正光刻胶组合物
115、经分馏的线型酚醛清漆树脂和由其得到的光刻胶组合物
116、用于193纳米波长的正性光刻胶组合物
117、化学放大型正光刻胶组合物
118、化学增强型正光刻胶组合物和锍盐
119、含脂环族溶解抑制剂的正光刻胶组合物
120、用于深紫外线光刻胶的防反射组合物
121、化学放大型正光刻胶组合物
122、光刻胶树脂,化学增强光刻胶组合物及图样的形成方法
123、氟化聚合物,光刻胶和用于显微光刻的方法
124、化学增强型正光刻胶组合物
125、含有氧和硫脂环族单元的聚合物和包含该聚合物的光刻胶组合物
126、用于光刻胶的抗反射涂料
127、光刻胶组合物
128、使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶及残渣
129、形成光刻胶图案的方法
130、光刻胶剥离剂组合物
131、用光刻胶热熔法制备球形凸起生物微电极阵列的方法
132、用于光刻胶的主体成膜树脂及其制备方法和应用
133、一种制备光刻胶图形的方法
134、用于半导体器件的光刻胶的去除剂组合物
135、一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
136、多元酚化合物和含有该化合物的化学放大型光刻胶组合物
137、一种光刻胶清洗剂
138、一种光刻胶清洗剂
139、利用处理液除去基板的光刻胶并用臭氧处理处理液
140、半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法
141、存在常规低k和/或多孔低k介电材料时的光刻胶剥除方法
142、制作光刻胶图案的工艺
143、一种用于光刻胶成膜的光刻胶加热控制系统
144、低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
145、低蚀刻性较厚光刻胶清洗液
146、一种耐热负性光刻胶的制备方法
147、低蚀刻性光刻胶清洗剂
148、清洗厚膜光刻胶的清洗剂
149、双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形的去除方法
150、光刻胶膜卷材及其制造方法
151、用于光刻胶的曝光后烘焙的方法和设备
152、形成光刻胶层的方法
153、光刻胶的去除方法
154、基于光刻胶斜坡宽度加权的光学近似修正模型校准方法
155、一种环氧改性酚醛清漆树脂和由其得到的光刻胶组合物
156、一种酸酐改性酚醛树脂和由其得到的光刻胶组合物
157、一种在凸面基底上直接制作光刻胶母光栅的方法
158、负性含氟光刻胶组合物及在聚合物光波导器件中的应用
159、光刻胶气泡排除系统及排除方法
160、光刻胶组合物、其涂覆方法、形成图案的方法及显示器
161、一种正性光刻胶剥离液及其制备方法
162、一种负性彩色光刻胶脱胶剂及其制备方法
163、用于液晶设备的正型光刻胶组合物
164、聚合物和含有该聚合物的光刻胶
165、氟化的硅-聚合物和包含该聚合物的光刻胶
166、一种光刻胶涂敷装置
167、正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法
168、磺酸盐和光刻胶组合物
169、设计图形、光掩模、光刻胶图形及半导体器件的制造方法
170、用于涂布EUV平板印刷术基底的方法和具有光刻胶层的基底
171、光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法
172、微石印术用光刻胶组合物中的光酸产生剂
173、光刻胶修整方法
174、正型光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法
175、正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法
176、化学放大型正光刻胶组合物及其树脂
177、光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法
178、适用作光刻胶的可紫外线固化的粉末
179、负性深紫外光刻胶
180、一种用于正性或负性光刻胶的清洗剂组合物
181、带有环状缩酮保护基的含硅光刻胶体系
182、包含添加剂用于深UV辐射的光刻胶组合物
183、用于有机硅酸盐玻璃低K介质腐蚀应用的用于O2和NH3的蚀刻后光刻胶剥除
184、交联聚合物、有机抗反射涂层组合物及形成光刻胶图案的方法
185、含有包括氟磺酰胺基团的聚合物的正型光刻胶组合物及其使用方法
186、化学放大型正光刻胶组合物
187、除去光刻胶和蚀刻残渣的方法
188、包含缩醛和缩酮作为溶剂的光刻胶组合物
189、光刻胶层中减小图案尺寸的方法
190、光刻胶层中减小图案尺寸的方法
191、光刻胶层中减小图案尺寸的方法
192、纳米压印光刻胶
193、去除光刻胶和蚀刻残留物的方法
194、光刻胶膜除去装置和光刻胶膜除去方法及有机物除去装置和有机物除去方法
195、光刻胶除去装置和光刻胶除去方法
196、稀释剂组分及用其除去光刻胶的方法
197、包含光活性化合物混合物的用于深紫外平版印刷的光刻胶组合物
198、光刻胶组合物
199、一种化学放大型正光刻胶组合物
200、正性光刻胶的制作方法
201、光刻胶剥离剂组合物
202、用于生产光学信息介质用光刻胶母模和印模的方法
203、消去光刻胶与OSG之间的反应的方法
204、用于提高光刻胶附着的无定形碳层
205、确定晶片对准标记外围辅助图形的方法及所用光刻胶掩模
206、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
207、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
208、PS版和光刻胶用的合成树脂及制备方法
209、光刻胶图案增厚材料、包含它的光刻胶图案及其应用
210、含有光刻胶组合物的多层元件及其在显微光刻中的应用
211、光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺，半导体器件及其制造工艺
212、化学增强型光刻胶组合物
213、高分辨率映像装置用光刻胶
214、磺酸盐和光刻胶组合物
215、光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺
216、用于微型平板印刷术的多环含氟聚合物及光刻胶
217、聚合物中的保护基,光刻胶及微细光刻的方法
218、聚合物掺混物及其在用于微细光刻的光刻胶组合物中的应用
219、负性光刻胶树脂涂布液及其制备方法
220、光刻胶掩模及其制作方法
221、光刻胶沉积设备以及使用该设备形成光刻胶薄膜的方法
222、短波成像用溶剂和光刻胶组合物
223、光刻胶脱膜组成物及使用该组成物的模型形成方法
224、用于深紫外光刻术的光刻胶组合物
225、衬底处理和光刻胶曝光方法
226、光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法
227、含有含多个酸不稳定部分的侧基团的聚合物的光刻胶组合物
228、微刻用光刻胶组合物中的溶解抑制剂
229、适于光刻胶组合物的聚合物
230、用于光刻胶的感光树脂组合物
231、集成电路制造技术中可消除光刻中光刻胶毒化的工艺
232、化学放大型光刻胶组合物
233、负作用水性光刻胶组合物
234、光刻胶组合物
235、适合用来除去光刻胶、光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用
236、光刻胶组合物及用它形成薄膜图案的方法以及用它制备薄膜晶体管阵列板的方法
237、提供改良的双层光刻胶图案的方法
238、深紫外负性光刻胶及其成膜树脂
239、深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
240、光刻胶组合物
241、含有树脂掺合物的光刻胶组合物
242、正型光刻胶组合物及形成光刻胶图案的方法
243、化学放大型正光刻胶组合物，(甲基)丙烯酸酯衍生物及其制备方法
244、双层光刻胶干法显影的方法和装置
245、含硅偶联剂的共聚物成膜树脂及其193nm光刻胶
246、从光刻胶和/或剥离液中回收有机化合物的方法
247、光刻胶成膜树脂制备中的聚合物选择水解方法
248、使用光刻胶层来形成多重导线连接的方法
249、涂布膜的加热装置和光刻胶的处理装置
250、光敏聚合物及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物
251、光刻胶用抗反射组合物
252、改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法
253、光刻胶保护膜用组合物、光刻胶保护膜及光刻胶图形形成方法
254、光刻胶的去除
255、利用具有碳层的传输掩模构图晶片上的光刻胶的方法
256、光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法
257、涂料组合物、抗反射膜、光刻胶及采用该光刻胶的图形形成方法
258、用于涂敷光刻胶的装置和方法
259、软烘焙基板上的光刻胶的装置和方法
260、使用T型光刻胶图案来形成缩小导线图形的方法
261、用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法
262、化学放大型光刻胶组合物
263、使用具有多层ARC的反射掩模在晶片上图案化光刻胶的方法
264、利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法
265、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
266、化学放大型正型光刻胶组合物
267、控制光刻胶组合物溶解速率差的方法
268、用于光刻胶的感光树脂组合物
269、用于光刻胶的感光树脂组合物
270、用于在制造半导体器件等中分配光刻胶的方法和设备
271、氟代环烯烃聚合物及在深紫外类光刻胶中的应用
272、等离子室系统及使用该系统灰化光刻胶图案的方法
273、具有改善抗蚀性能的氟化光刻胶材料
274、用于深UV的光刻胶组合物及其成像方法
275、用于涂覆光刻胶图案的组合物
276、含硅偶联剂的193nm光刻胶及其成膜树脂
277、光刻胶稀释剂的制造方法
278、含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂
279、光刻胶组合物
280、利用具有热流动特性的负光刻胶层制造半导体的方法
281、光刻胶聚合物组合物
282、增强光刻胶黏性的无定形碳层
283、包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法
284、用于有机硅化物玻璃的一氧化二氮去除光刻胶的方法
285、改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法
286、在光刻胶去除过程中最小化阻障材料损失的方法
287、与外涂的光刻胶一起使用的涂层组合物
288、微光刻技术用光刻胶组合物中的溶解抑制剂
289、正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法
290、193nm远紫外光刻胶及其制备方法
291、193nm远紫外光刻胶及其制备方法
292、用于改进临界尺寸计算中使用的光刻胶模型的校准的方法、程序产品以及设备
293、包括金刚形烃衍生物的光刻胶组合物
294、用于从衬底去除光刻胶的方法和设备
295、光刻胶聚合物、光刻胶组合物及制造半导体装置的方法
296、光刻胶单体及其聚合物以及包含该光刻胶聚合物的光刻胶组合物
297、与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
298、光刻胶组合物,薄膜图案形成方法、TFT阵列面板制造方法
299、用于深紫外的光刻胶组合物及其工艺
300、光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法
301、用于光刻胶的阻挡涂敷组合物及使用该组合物形成光刻胶图形的方法
302、去除光刻胶的方法以及再生光刻胶的方法
303、光刻胶组合物和使用方法
304、利用处理的光刻胶来制造半导体器件的方法
305、用于去除半导体器件的改性光刻胶的光刻胶去除剂组合物
306、光刻胶液制备方法及使用该光刻胶液的光刻胶膜
307、具有多环内脂结构单元的聚合物在深紫外光刻胶中的应用
308、光刻胶液供给装置及用于得到它的改造套件
309、浸液曝光用正型光刻胶组成物及光刻胶图案的形成方法
310、包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物
311、制备化学放大正性光刻胶用树脂的方法
312、用于形成液浸曝光工艺用光刻胶保护膜的材料、以及使用该保护膜的光刻胶图案形成方法
313、用于去除光刻胶的组合物
314、用于去除光刻胶的组合物
315、化学增强型光刻胶组合物
316、光刻胶涂覆设备及光刻胶涂覆方法
317、用于去除光刻胶的组合物及利用该组合物形成图案的方法
318、采用负性光刻胶组合物形成电镀产品的方法以及在该方法中使用的光敏组合物
319、半导体结构及使用其形成光刻胶图形和半导体图形的方法
320、光刻胶组合物
321、光刻胶涂覆装置及其方法
322、适用于产酸物的树脂和含有该树脂的化学放大正性光刻胶组合物
323、脱除衬底上光刻胶的方法
324、光刻胶保护膜形成用材料以及使用该材料的光刻胶图案形成方法
325、光刻胶保护膜形成用材料以及使用该材料的光刻胶图案的形成方法
326、化学放大正性光刻胶组合物
327、用于光刻胶的抗反射组合物
328、用叠层光刻胶牺牲层制备MEMS悬空结构的方法
329、用来与外涂的光刻胶一起使用的涂料组合物
330、光刻胶再生方法及其系统
331、缩小光刻胶接触孔图案的临界尺寸的方法
332、形成光刻胶图案的方法
333、包括具有氢流速渐变的光刻胶等离子体老化步骤的蚀刻方法
334、光刻胶液清洗过滤器气泡的方法
335、消除光刻胶中气泡的方法及凸点制作方法
336、用于光刻胶去除的组合物和方法
337、感光化合物、感光组合物、光刻胶图案形成方法和元件制造方法
338、光刻胶残留物的清洗方法
339、一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液
340、光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
341、光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
342、光刻胶组合物和使用其制备滤色片基片的方法
343、防止静电聚集的光刻胶涂布机承载盘
344、移除光刻胶的方法
345、用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除的组合物和方法
346、超支化聚硅氧烷基光刻胶
347、光刻胶涂布系统
348、感光化合物、感光组合物、光刻胶图案形成方法和器件制造方法
349、感光化合物、感光组合物、光刻胶图案形成方法和器件制造方法
350、化学增幅光刻胶等效扩散模型的建立方法
351、光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法
352、用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶
353、形成光刻胶层压基板、电镀绝缘基板、电路板金属层表面处理及制造多层陶瓷电容器的方法
354、改善光刻胶粘附性和重新使用一致性的氢处理方法
355、聚合物光刻胶超声时效的装置和方法
356、光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法
357、光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法
358、低蚀刻性光刻胶清洗剂
359、厚膜光刻胶清洗剂
360、光刻胶组合物和使用其制造薄膜晶体管基底的方法
361、光刻胶残留物清洗剂
362、光刻胶剥离液
363、用于去除光刻胶的稀释剂组合物
364、酚聚合物以及包含该酚聚合物的光刻胶
365、移除晶圆后侧聚合物和移除晶圆前侧光刻胶的工艺
366、用于凹球面器件旋涂光刻胶的辅助装置
367、对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法
368、光刻胶的去除方法和制造镶嵌结构的方法
369、一种光刻胶清洗剂
370、一种酚醛清漆树脂、其制备方法以及含有该树脂的光刻胶组合物
371、基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近修正模型校准方法
372、光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法
373、控制光刻胶分配的装置和方法
374、光刻胶的去除方法
375、凹球面光学器件旋涂光刻胶的方法
376、正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液
377、正性光敏聚酰亚胺光刻胶用中性显影液
378、一种光刻胶清洗剂
379、大幅面光刻胶玻璃板曝光后自动喷淋显影装置及方法
380、用于半导体制造的光刻胶剥离剂组合物
381、一种厚膜光刻胶的清洗剂
382、一种光刻胶清洗剂
383、去除边缘光刻胶装置
384、一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法
385、感光性树脂组合物及使用该组合物的光刻胶膜
386、基于负性光刻胶的栅极注入掩膜层的制备方法
387、涂底的方法及光刻胶的涂布方法
388、光刻胶供应装置
389、一种光刻胶的去除方法
390、一种光刻胶清洗剂
