核心提示：1 电容器及其制造方法（美国-共46页）2 电容器及其制造方法（美国-共14页）3 表面安装的多层电容器（美国-共17页）4 叠层电容器存储单元及其制造方法（美国-共12页）5 薄膜电容器的形成（美国...
1 电容器及其制造方法（美国-共46页） 2 电容器及其制造方法（美国-共14页）
3 表面安装的多层电容器（美国-共17页）
4 叠层电容器存储单元及其制造方法（美国-共12页）
5 薄膜电容器的形成（美国-共64页）
6 氮化铌粉及铌电解质电容器（美国-共48页）
7 多位沟道电容器（美国-共18页）
8 超小型电容器阵列（美国-共18页）
9 一种用一连续顶部电极匹配电容器阵列的改进的布局技术（美国-共15页）
10 流体可变电容器（美国-共19页）
11 形成在半导体衬底上的精密高频电容器（美国-共22页）
12 含有硼硅酸钡锂助熔剂的钛酸镁锌粉末和由其制成的多层陶瓷COG电容器（美国-共20页）
13 半导体器件的包封金属结构及包括该结构的电容器（美国-共20页）
14 制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法（美国-共14页）
15 电容器结构及其制造方法（美国-共38页）
16 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法（美国-共15页）
17 埋入的金属双重镶嵌板电容器（美国-共23页）
18 互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构（美国-共13页）
19 用于同时形成硅上金属电容器的最佳透过注入（美国-共14页）
20 改进的高品质因数电容器（美国-共9页）
21 改进的小型表面安装电容器及其制造方法（美国-共14页）
22 用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器（美国-共15页）
23 多元件电容器（美国-共8页）
24 集成电路上薄膜层中分布的去耦电容器结构及其制造方法（美国-共13页）
25 通过采用光滑底电极结构具有改进的存储保持的薄膜铁电电容器（美国-共43页）
26 多电极双层电容器（美国-共47页）
27 改善电容器矩阵匹配的电容器矩阵布置（美国-共14页）
28 金属间电容器及其制造方法（美国-共9页）
29 介质电容器的底层电极结构及其制造方法（美国-共36页）
30 敷金属膜片电容器及其制造方法（美国-共8页）
31 埋层式电容器（美国-共17页）
32 使用混合电极的多晶铁电电容器异质结构（美国-共12页）
33 包含铝碳复合电极的高性能双层电容器（美国-共19页）
34 钽电容器浸渍方法（美国-共24页）
35 电容器安装组件（美国-共9页）
36 具有金属氧化物电介质的电容器（美国-共32页）
37 固／气双层电容器及电存储器件（美国-共18页）
38 多层陶瓷电容器的制造工艺（美国-共12页）
39 固体电容器的成批生产方法及其制成的电容器（美国-共23页）
40 钽固体电解质电容器（美国-共12页）
41 一体化微调电容器（美国-共13页）
42 高密度动态随机存取存储器(RAM)的槽式电容器的制造方法（美国-共12页）
43 带有绝缘环的沟槽式电容器和相应的制造方法（德国-共60页）
44 具有外延掩埋层的沟槽电容器（德国-共23页）
45 具有高ε介电材料或铁电材料的电容器及其制造方法（德国-共16页）
46 在半导体器件内安置在支撑架上的电容器及其制造方法（德国-共15页）
47 带有外延隐埋层的沟槽式电容器（德国-共29页）
48 带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器（德国-共29页）
49 具有隔离轴环的沟槽电容器（德国-共38页）
50 深沟道电容器（德国-共11页）
51 电力电容器（德国-共9页）
52 较高比电容量的多层电容器（德国-共14页）
53 具有改进栓塞电导率的层叠电容器（德国-共10页）
54 制造铁电体电容器装置的方法（德国-共8页）
55 用于制作具钽酸锶－铋基介质的存储电容器的方法（德国-共7页）
56 金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器（德国-共13页）
57 对温度具有高稳定性的电容器（法国-共24页）
58 包括聚合物膜的电容器（法国-共20页）
59 电容器（英国-共9页）
60 固体电容器的制造（英国-共11页）
61 固态电容器及其制造方法（英国-共23页）
62 阻抗可控卷绕式电容器（意大利-共11页）
63 埋置式电容器的装设方法和用这种方法装设的埋置式电容器（瑞典-共12页）
64 集成电路中的电容器（瑞典-共15页）
65 应用于压控振荡器的多接头微调电容器（瑞典-共10页）
66 用于薄膜电容器的薄膜和薄膜电容器（瑞士-共10页）
67 箔型电解电容器（荷兰-共6页）
68 热断路器保护自愈电容器及其制造方法（比利时-共9页）
69 高压电力电容器（奥地利-共11页）
70 制造半导体器件冠式电容器的方法（韩国-共15页）
71 使用半球形晶粒硅制造电容器的方法（韩国-共23页）
72 制造半导体器件电容器的方法（韩国-共12页）
73 用于存储单元的圆柱形存储电容器及其制造方法（韩国-共25页）
74 高电介质电容器及其制造方法（韩国-共9页）
75 制造动态随机存取存储器单元电容器的方法（韩国-共11页）
76 电容器及其制造方法（韩国-共12页）
77 表面安装型片状电容器（韩国-共14页）
78 用于微波炉磁控管的电容器（韩国-共27页）
79 用于制造半导体器件叠层电容器的方法（韩国-共20页）
80 半导体器件电容器及其制造方法（韩国-共15页）
81 制造半导体器件电容器的方法（韩国-共25页）
82 形成集成电路电容器的方法及由此形成的电容器（韩国-共39页）
83 制造用于模拟功能的电容器的方法（韩国-共17页）
84 具有高介电常数介质层的半导体器件电容器的制造方法（韩国-共21页）
85 半导体存储元件的电容器及其制造方法1（韩国-共11页）
86 半导体存储元件的电容器及其制造方法2（韩国-共18页）
87 半导体存储器件的电容器及其制造方法3（韩国-共30页）
88 半导体存储元件的电容器的形成方法（韩国-共17页）
89 半导体装置的电容器的制造方法（韩国-共15页）
90 使用新材料的电极的超级电容器以及制做方法（韩国-共12页）
91 制造用于半导体装置的圆柱型电容器的方法（韩国-共29页）
92 半导体器件的电容器制造方法（韩国-共16页）
推广期间全套专利技术资料仅需3800元
