核心提示：001 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法002 自倍频光学超晶格LN,LT晶体生长及相关器件003 碳化硅纤维生产中的尾气回收方法及装置004 一种金属材料单晶的制备技术005 一种制备掺杂钒酸盐单晶的...
001 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法002 自倍频光学超晶格LN,LT晶体生长及相关器件
003 碳化硅纤维生产中的尾气回收方法及装置
004 一种金属材料单晶的制备技术
005 一种制备掺杂钒酸盐单晶的水热生长方法
006 用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚
007 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
008 垂直扩散炉中的载片舟
009 炉子用的固体物料供料系统
010 永磁传动Г型导槽试样操纵与籽晶施加机构
011 一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法
012 用多晶硅原料制备熔硅的方法
013 晶体生长的改进
014 抑制长的大直径单晶硅生ぬ跷频闹崩ぷ爸?br>015 一种高速气相生长金刚石的方法
016 化合物半导体及其可控掺杂
017 空间快速凝固地面模拟方法与实验装置
018 拉单晶装置
019 单晶拉制装置
020 拉单晶装置
021 单晶生长方法
022 采用碳纳米管制备氮化物纳米晶须的方法
023 半导体材料的制造方法及所用设备
024 单晶提拉装置
025 单晶提拉装置
026 红、蓝、紫外光发射多孔硅的水热制备法
027 改进的结晶设备和方法
028 防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备
029 含铈磁性石榴石单晶及其制造方法
030 减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构
031 通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置
032 转动拉晶机坩埚的装置和方法
033 瞄准筒反应器喷嘴的方法和装置
034 提拉单晶硅的装置
035 与控制硅晶体生长的系统一起使用的无失真摄像机
036 基于碘化铯的闪烁材料及其制备方法
037 固体区熔生长1-3微米碲镉汞晶体材料的方法
038 从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺
039 用于人造石英晶体的ST切型和AT切型定向籽晶体及其制造方法
040 新的单晶冰糖、味精、食盐、白砂糖等生产法
041 切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法
042 从包晶熔体获取单晶的方法
043 氧化物单晶及其制备方法
044 类金刚石薄膜形成装置和形成方法
045 氮化镓晶体的制造方法
046 人造荧光宝石的制作方法
047 一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法及装置
048 半导体圆片的热处理器
049 一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法
050 控制重掺锑或砷的硅片中氧含量的方法和装置
051 双立式热处理炉
052 生产碳化硅单晶的方法
053 硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置
054 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体
055 硅单晶的制造方法及其使用的晶种
056 单晶外延沉积的方法和系统
057 外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统
058 自调制激光晶体Cr4+,Yb3+
059 提拉单晶的装置及方法
060 高温相偏硼酸钡(α－BaB2O4
061 影响结构工艺转化的物理技术设备
062 金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置
063 碲镉汞材料高温热处理方法
064 具有大表面积的单斜晶二氧化锆
065 硅进料系统
066 单晶生长方法
067 非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术
068 在晶体带的枝状晶薄片生长期间现场扩散掺杂剂杂质的方法
069 氮化镓结晶的制造方法
070 超导磁铁装置
071 晶片锯割机
072 硫氰酸配合物型晶体材料及其制备方法和用途
073 氮化镓晶体的制备方法
074 特殊切角的硼酸氧钙稀土盐激光倍频晶体
075 单晶二氧化钛纳米丝的制备方法
076 具有金刚石涂层的碳化硅宝石
077 单晶SiC及其制造方法
078 新型非线性光学晶体硼酸铝氧钡
079 在液体表面生长金刚石晶体的方法
080 锑诱导碳60薄膜生长方法及碳60薄膜
081 生长定向晶须列阵的方法和装置
082 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
083 一种制备单壁纳米碳管的方法
084 加热或冷却晶片的设备
085 超高真空化学气相淀积外延系统
086 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
087 氧化锌晶须连续生产工艺及装置
088 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
089 新型非线性光学晶体硼酸铍氧钡
090 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶
091 用于制造定向凝固铸件的方法和装置
092 可调谐激光晶体蓝绿宝石及其制法和用途
093 单晶生长方法及生长装置
094 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法
095 拉晶装置用的超导磁体装置
096 单晶SiC及其制造方法
097 单晶SiC及其制造方法
098 传送熔融物料的注入器
099 使用光发射光谱控制离子注入
100 掺钕离子的钒酸钆钇激光晶体
101 化合物R2MB10O
102 制造双晶族磁记录介质的方法
103 一种氧化锌晶须制备方法
104 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
105 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
106 一种生长固溶体和包晶反应生成相单晶的“异成份浮区”方法
107 无色碳化硅晶体的生长
108 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
109 生产多晶半导体晶锭的工艺和设备
110 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
111 导衬的内周面上形成的硬质碳膜的剥离方法
112 制造多晶半导体的方法和装置
113 一种NiA1单晶的制备方法
114 制备稀土离子掺杂LN、LT光学超晶格材料及其应用
115 制备夹杂金属的球壳笼状金属硫属化物方法
116 水平反应器用的二次边缘反射器
117 一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法
118 生长高温氧化物晶体的装置
119 单晶转变控制
120 钛酸钾晶须及纤维的制造方法
121 稀土化合物浆料及金刚石厚膜的表面刻蚀方法
122 新型四方锥配合物非线性光学材料和晶体生长
123 碳膜生长工艺
124 在半导体器件中生成导电通道的工艺和装置
125 低缺陷浓度的硅
126 高温氧化物晶体的退火装置
127 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
128 静磁波器件
129 生产硅单晶的直拉区熔法
130 控制硅单晶生长的方法与系统
131 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
132 四脚状氧化锌晶须的制备方法
133 控制硅晶体生长的方法和系统
134 拉晶炉用热屏蔽
135 单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体
136 圆柱型α－六水硫酸镍晶体的生长方法
137 用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
138 双掺铌酸锂晶体
139 氟化物单结晶的热处理方法及制造方法
140 砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
141 利用放热反应制备多晶硅的方法
142 碳化硅薄膜的基座设计
143 掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体
144 硅酸镧镓晶片及其制备方法
145 一种升华法晶体生长安瓶的封装方法
146 一种坩埚下降生长晶体的方法及其装置
147 由C70生长钻石的方法
148 缺陷密度低,空位占优势的硅
149 坩埚及其制造方法
150 低缺陷密度、理想氧沉淀的硅
151 低缺陷密度、自-填隙原子受控制的硅
152 单晶制造方法及单晶制造装置
153 蓝宝石晶体的脱碳去色退火方法
154 具有结构氧掺杂的硅及其生产方法和用途
155 氮化镓外延层的制造方法
156 垂直舟生长工艺用炉料及其应用
157 非线性光学晶体正交晶系一水六硼酸二钙及其生长方法和用途
158 氟化铝锶锂(LiSAF)原料简易合成方法
159 供拉晶用的装置
160 一种纳米碳化硅晶须的制备方法
161 生长非常均匀的碳化硅外延层
162 高压烧结合成聚合物大尺寸晶体的方法
163 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置
164 晶体生长容器及晶体生长方法
165 激光装置和激光退火方法
166 去除硅单晶中重金属杂质的方法
167 一种生产稀土大磁致伸缩材料的方法及所用装置
168 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
169 均分散超细阴离子层状材料的新合成方法
170 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的薄膜取向的方法
171 一种氮化镓单晶的热液生长方法
172 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
173 氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法
174 一种半螺旋选晶器
175 控制半导体晶体生长的开环方法和系统
176 移动桶形反应器排气管的装置
177 利用含硝酸盐的前体淀积原子层
178 一种晶体生长方法
179 提供半导体原材料的方法和系统
180 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法
181 基本无生长缺陷的外延硅片
182 生长低缺陷密度、自填隙为主的硅的拉晶设备
183 一种用于晶体生长的加热方法及其装置
184 晶体生长设备及晶体生长方法
185 SiC单晶的培育方法
186 一种用于人工晶体约束生长的方法和装置
187 磁性石榴石单晶膜及其制法,和使用该单晶膜的法拉第转子
188 在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法、制品及设备
189 成型蓝宝石生长工艺
190 单晶的培养方法
191 氧化物单晶的制造装置及制造方法
192 稳定树枝状网膜晶体生长的方法和系统
193 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
194 氧化锌晶须的连续生产工艺方法及其装置
195 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
196 单晶与熔液固液界面形状和单晶点缺陷分布的模拟方法
197 大尺寸高温相硼磷酸锌非线性光学晶体及制法和用途
198 生长晶体的方法和设备
199 半导体衬底晶体材料生长真空系统及其控制系统
200 六钛酸钾晶须的制造方法
201 用于拉晶设备的连续氧化方法
202 热退火后的低缺陷密度单晶硅
203 供晶体生长装置内电阻加热器用的电极装配
