核心提示：1、一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法2、一种SiC衬底生长GaN外延膜的方法3、一种图案化衬底及其制作方法和利用其制作外延膜的方法4、在低温下生长薄外延膜的方法5、一种高精度外延膜厚监控片...
1、一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法2、一种SiC衬底生长GaN外延膜的方法
3、一种图案化衬底及其制作方法和利用其制作外延膜的方法
4、在低温下生长薄外延膜的方法
5、一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法
6、在低温下生长薄外延膜的方法
7、沉积中卤素分子用作反应剂增强外延膜中掺杂剂结合的方法
8、一种用于制备无裂纹YBCO液相外延膜的方法
9、在GaAs单晶衬底上制备CdZnTe外延膜的方法
10、具有SiC外延膜的4H?SiC外延晶片的制造方法
11、一种外延膜生长设备及分离方法
12、一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法
13、提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法
14、一种外延膜生长设备的基座支撑装置及其使用方法
15、一种用于外延膜生长设备的基座水平调节装置
16、一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构
17、一种GaN外延膜和蓝宝石衬底自剥离方法
18、应变单晶外延膜体声谐振器的有效耦合系数的改进
19、一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法
20、一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法
21、快速制备3C-SiC外延膜方法
22、纳米级结构上的外延膜
23、外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置
24、晶格失配异质外延膜
25、缺陷转移和晶格失配外延膜
26、图案化的衬底上的外延膜生长
27、一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法
28、一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
29、一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法
30、从外延半导体结构的生长基底激光分离外延膜或外延膜层的方法（变体）
31、外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置
32、外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头
33、在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法
34、外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置
35、硅外延膜厚测试标准片的制作方法
36、一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法
37、硅外延膜厚测量方法及装置
38、一种氮化镓基外延膜的制备方法
39、外延膜形成装置及其用的基座、外延晶片及其制造方法
40、生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法
41、一种生长AlInN单晶外延膜的方法
42、一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法
43、外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头
44、用于外延膜层形成的集束型设备
45、外延膜厚的测试方法
46、在形成外延膜期间使用的气体歧管
47、场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜
48、一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
49、应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法
50、生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
51、氧化物半导体外延膜高通量X射线衍射分析方法
52、生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
53、生长高阻氮化镓外延膜的方法
54、一种在金属基底上形成织构外延膜的方法
55、用于半导体器件的外延膜生长方法
