核心提示：1、一种Ⅳ-Ⅵ族红外半导体薄膜及其制备方法2、一种有机半导体薄膜及其制备方法3、一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法4、一种制备多孔有机半导体薄膜的方法5、一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法...
1、一种Ⅳ-Ⅵ族红外半导体薄膜及其制备方法2、一种有机半导体薄膜及其制备方法
3、一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法
4、一种制备多孔有机半导体薄膜的方法
5、一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法
6、一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备方法
7、二氧化钛半导体薄膜及制备方法与其在光电催化中的应用
8、超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用
9、多晶硅半导体薄膜衬底的制备方法
10、一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法
11、一种基于超临界流体脉冲的半导体薄膜可控生长系统
12、一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法
13、一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法
14、硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备方法
15、一种VO2合金半导体薄膜及制备方法和应用
16、用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法
17、一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法
18、一种异质半导体薄膜及其制备方法
19、一种IV-VI族半导体薄膜及其制备方法
20、一种基于二维半导体薄膜的多层堆叠电路及其制备方法
21、一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜
22、一种室温铁磁硅锗锰半导体薄膜的制备方法及其应用
23、一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法
24、一种超临界二氧化碳脉冲可控生长二维半导体薄膜的方法
25、氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构
26、p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用
27、一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法
28、半导体薄膜结构以及包括其的电子器件
29、一种退火后的氧化物半导体薄膜和改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法
30、一种Fe掺杂γ-Ga2O3磁性半导体薄膜及其制备方法和应用
31、半导体薄膜的形成方法
32、一种三元化合物半导体薄膜的制备方法
33、一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法
34、一种半导体薄膜及其制备方法
35、一种半导体薄膜平坦度改善的方法
36、一种柔性无机半导体薄膜及其制备方法
37、一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用
38、一种锌黄锡矿结构半导体薄膜的制备方法
39、一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池
40、相变温度可调的RuxV1-xO2合金半导体薄膜材料、制备方法及其在智能窗中的应用
41、一种基于金属氧化物半导体薄膜材料的H2S气体传感器及其制备方法
42、一种稳定、高效的钙钛矿半导体薄膜太阳能电池及其制备方法
43、一种基于有机半导体薄膜的柔性直流发电机
44、一种钝化剂及其钝化方法和制备半导体薄膜的方法
45、一种硒半导体薄膜的制备方法
46、单层有机半导体薄膜的制备方法
47、一种半导体薄膜层的转移方法及复合晶圆的制备方法
48、梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解制备方法
49、一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法
50、一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法
51、半导体薄膜制造中的变频微波（VFM）工艺及应用
52、一种基于半导体薄膜的智能温控毛毯
53、一种用于n型透明半导体薄膜的纳米锡酸锌材料的合成方法
54、一种TaN半导体薄膜电极的制备方法
55、一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法
56、一种多孔有机半导体薄膜的制备方法
57、一种氧化锡光子晶体负载氧化钨和硫化镉半导体薄膜及其制备方法和应用
58、一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法
59、在二维平面和三维曲面制备连续半导体薄膜的方法和应用
60、一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法
61、一种三氧化钨半导体薄膜及其制备方法和应用
62、溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法
63、一种半导体薄膜器件及其制备方法与应用
64、一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用
65、氧化物半导体薄膜
66、一种半导体薄膜平坦度改善的方法
67、一种光电性能优异的多元非晶金属氧化物半导体薄膜的制备方法
68、一种稀磁半导体薄膜的制备方法
69、一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法
70、一种镓锡氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用
71、一种基于二维半导体薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件
72、一种基于纳米晶体的有机/无机杂化p型半导体薄膜材料
73、一种基于纳米晶体的有机/无机杂化n型半导体薄膜材料
74、一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法
75、一种制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法
76、溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法
77、掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法
78、一种AgBiS2半导体薄膜的制备方法
79、一种半导体薄膜及其制备方法
80、一种离子注入制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法
81、氧化物半导体薄膜的制作方法及应用
82、一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法
83、一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法
84、一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法
85、一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法
86、一种高迁移率硒氧化铋半导体薄膜的化学刻蚀方法
87、一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法
88、一种铜锌锡硫硒半导体薄膜的制备方法及其应用
89、一种半导体薄膜材料
90、一种半导体薄膜四象限光照传感器及其制备方法
91、禁带宽度可调的CdTexSe1-x半导体薄膜及其制备方法和应用
92、一种在FTO衬底上制备二硒化钨半导体薄膜的方法及其应用
93、一种高温下纳米结构可控的金属氧化物半导体薄膜电极材料的制备方法
94、一种在CuFeO/CuInS复合半导体薄膜电极上将CO还原为甲醇的方法
95、一种硼酸锌单晶作为半导体薄膜衬底的新用途
96、一种铁磁半导体薄膜材料的制备方法
97、一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用
98、一种氧化物半导体薄膜的制备方法
99、一种半导体薄膜电解质型燃料电池及其制作方法
100、一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法
101、一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺
102、一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用
103、一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法
104、一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其制备方法
105、一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法
106、一种Cu2ZnSnS4/石墨烯复合半导体薄膜的制备方法及其应用
107、一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法
108、一种氧化物半导体薄膜及其低温溶液制备方法
109、一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及其制备方法
110、一种p型CuMInO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
111、适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法
112、一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
113、一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜的溶液方法
114、一种p型CuNiSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
115、氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法
116、一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法
117、一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
118、一种制备铟铝氧透明半导体薄膜的低温液相方法
119、一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法
120、一种p型CuNSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
121、一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
122、一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法
123、一种氧化铜半导体薄膜的制备方法
124、一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
125、一种提高CuZnSnS半导体薄膜载流子迁移率的方法
126、一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法
127、一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
128、化合物半导体薄膜及其制备方法
129、一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及应用
130、一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
131、一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其制备方法
132、一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
133、一种硫化铋半导体薄膜的制备方法
134、一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法
135、氮化物半导体薄膜及制备方法
136、一种半导体薄膜型器件的制备方法
137、一种基于非对称结构的有机半导体薄膜取向制备方法和表征方法
138、一种半导体薄膜的制备方法
