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一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法，目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流，降低反向阻断损耗，提高电路效率，包括以下步骤：位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶...
一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N漂移层的表面进行氧化层的淀积；通过光刻...
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