多晶硅生产技术工艺、太阳能冶炼多晶硅制作及用途
1、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
2、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
3、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
4、蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
5、多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
6、利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
7、一种功率型多晶硅发射极晶体管
8、薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
9、多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
10、多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
11、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
12、N型掺杂多晶硅的制造方法
13、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
14、降低多晶硅层洞缺陷的方法
15、多晶硅界定阶跃恢复器件
16、用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
17、多晶硅棒及其加工方法
18、去除多晶硅残留的方法
19、去除多晶硅残留的方法
20、多晶硅间介电层的制造方法
21、低温多晶硅有机电激发光装置的制法
22、一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
23、形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
24、低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
25、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
26、多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
27、制作多晶硅薄膜的方法
28、避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
29、多晶硅膜的制造方法
30、多晶硅表面金属杂质的清除
31、由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
32、注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
33、用多晶硅原料制备熔硅的方法
34、在集成电路上制造互连的多晶硅对多晶硅低电阻接触方法
35、利用氧化物与多晶硅隔离垫制造高密度集成电路的方法
36、引入堆叠箱式电容单元的数兆位动态存储器的劈开－多晶硅CMOS工艺
37、一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
38、绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
39、一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
40、在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
41、用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
42、具有多晶硅薄膜的半导体器件
43、利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法
44、多晶硅棒及其制造方法
45、多晶硅电阻及其制造方法
46、具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
47、具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
48、多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
49、梯形多晶硅插塞及其制造方法
50、稳定的多晶硅电阻器和制造它的方法
51、利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
52、改进的多晶硅－硅化物
53、一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
54、增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法
55、具有多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
56、多晶硅的制造方法和装置以及太阳能电池用硅基片的制造方法
57、可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
58、形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
59、三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法
60、用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
61、多晶硅二极管的静电放电保护装置
62、具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法
63、利用放热反应制备多晶硅的方法
64、用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
65、用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
66、单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法
67、制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法
68、多晶硅电阻器及其制造方法
69、多晶硅薄膜的制造方法
70、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
71、多晶硅的评价方法
72、高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
73、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
74、具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
75、多晶硅化钨栅极的制造方法
76、采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法
77、横向多晶硅PIN二极管及其制造方法
78、70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
79、制备多晶硅颗粒的方法和装置
80、多晶硅化学气相沉积方法和装置
81、为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
82、评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
83、多晶硅、其生产方法及生产装置
84、用于评估多晶硅薄膜的装置
85、基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
86、为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
87、液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
88、低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
89、用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法
90、多晶硅层的制作方法
91、由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
92、采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
93、在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
94、制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
95、用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
96、形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
97、用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
98、多晶硅的蚀刻方法
99、形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
100、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
101、多晶硅层的制作方法
102、利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
103、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
104、多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
105、一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
106、一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
107、多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
108、多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
109、内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
110、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
111、具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
112、用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
113、玻璃衬底的预多晶硅被覆
114、低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
115、低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
116、低温多晶硅薄膜的制造方法
117、低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
118、制备多晶硅的方法
119、一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
120、多晶硅的定向生长方法
121、陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
122、光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
123、将非晶硅转换为多晶硅的方法
124、具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
125、低温多晶硅薄膜电晶体的结构
126、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
127、利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
128、多晶硅氢还原炉
129、多晶硅薄膜的制造方法
130、薄膜晶体管的多晶硅制造方法
131、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
132、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
133、多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的电路布局方法
134、具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
135、于基板上形成多晶硅层的方法
136、半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
137、形成多晶硅层的方法
138、用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
139、用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
140、具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法
141、包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
142、形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法
143、底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
144、低温多晶硅平面显示面板
145、多晶硅层的结晶方法
146、多晶硅薄膜的制造方法
147、多晶硅薄膜的制造方法
148、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
149、具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
150、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
151、多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
152、制造多晶硅层的方法
153、提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
154、半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
155、具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
156、多晶硅层的处理方法
157、形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
158、一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法
159、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
160、基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
161、半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
162、具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
163、在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
164、利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
165、具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
166、制作低温多晶硅薄膜的方法
167、制造多晶硅层的方法及其光罩
168、一种制备多晶硅绒面的方法
169、避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
170、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
171、多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
172、包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法
173、用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
174、多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
175、测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
176、超小粒径多晶硅的结构和方法
177、三维多晶硅只读存储器及其制造方法
178、光罩与应用其形成多晶硅层的方法
179、集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法
180、低温多晶硅薄膜的制造方法
181、多晶硅膜的形成方法
182、多晶硅膜的形成方法
183、制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
184、多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
185、多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
186、利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
187、具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
188、半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
189、制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
190、无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
191、形成多晶硅锗层的方法
192、用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
193、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
194、制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
195、低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
196、多晶硅薄膜的制造方法
197、一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
198、减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
199、由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
200、光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
201、一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
202、多晶硅薄膜晶体管的制作方法
203、多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
204、低温多晶硅显示装置及其制作方法
205、一种抑制多晶硅的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
206、多晶硅液晶显示器件的制造方法
207、具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
208、具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
209、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
210、电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
211、多晶硅的生产装置
212、形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
213、利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
214、利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
215、形成T型多晶硅栅极的方法
216、一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
217、15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
218、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
219、化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
220、形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
221、具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法
222、制造双层多晶硅存储器元件的方法
223、形成多晶硅结构
224、在半导体装置中形成多晶硅层的方法
225、制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法
226、制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法
227、低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法
228、低温多晶硅薄膜晶体管全集成有源选址基板及制备方法
229、低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
230、多晶硅细脉熔丝
231、一种制备多晶硅的方法
232、制造内层多晶硅介电层的方法
233、多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置
234、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
235、多晶硅薄膜晶体管制造方法
236、改善栅极多晶硅层电阻值的方法
237、多晶硅薄膜晶体管的形成方法
238、彩色多晶硅微粒及其制备方法
239、平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法
240、闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法
241、激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
242、具有多晶硅层的显示面板及其制造方法
243、多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法
244、用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
245、形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
246、浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
247、多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
248、带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
249、溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
250、低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
251、硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜
252、薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
253、一种制备太阳能级多晶硅的方法
254、具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
255、激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
256、有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法
257、具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
258、单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
259、一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
260、一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
261、一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
262、一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
263、一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
264、一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
265、一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
266、具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
267、用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
268、多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法
269、一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法
270、精密多晶硅电阻器工艺
271、用于沉积多晶硅的CVD装置
272、一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
273、多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
274、一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
275、一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
276、降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
277、双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法
278、一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
279、一种生产多晶硅用的还原炉
280、限定多晶硅图案的方法
281、激光薄膜多晶硅退火光学系统
282、激光薄膜多晶硅退火系统
283、单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
284、单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
285、多晶硅的制造方法
286、多晶硅栅极掺杂方法
287、多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
288、用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
289、具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
290、薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
291、用于在衬底上淀积多晶硅层的装置
292、用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
293、高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
294、铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法
295、形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
296、低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
297、形成多晶硅薄膜的方法
298、薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
299、廉价多晶硅薄膜太阳电池
300、P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺
301、一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法
302、采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法
303、双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
304、利用双多晶硅的位线注入
305、一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备
306、用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
307、一种锌还原法生产多晶硅的工艺
308、一种太阳能级多晶硅的生产方法
309、直接沉积多晶硅的方法
310、高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法
311、适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极
312、多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
313、多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
314、多晶硅板制备方法
315、多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
316、单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法
317、择优取向的多晶硅薄膜的制备方法
318、多晶硅太阳能发电并网装置
319、具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
320、使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
321、低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元
322、叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
323、一种在集成电路中使用α多晶硅的方法
324、用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构
325、一种多晶硅存储元件及其制备方法
326、多晶硅炉的喷嘴
327、多晶硅薄膜的制作方法
328、多晶硅层、制造其的方法和平板显示器
329、多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
330、多晶硅太阳电池绒面的制备方法
331、形成多晶硅薄膜的方法
332、一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
333、具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法
334、一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
335、利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法