01、用于钛及钛合金的化学蚀刻溶液
02、用于钼的化学蚀刻溶液
03、用于铝及铝合金的化学蚀刻溶液
04、蚀刻方法及蚀刻装置
05、铟氧化物层的蚀刻剂组合物及使用它的蚀刻方法
06、干蚀刻装置以及安装于其上的气孔装置
07、蚀刻溶液及利用包括该溶液的过程形成半导体器件的方法
08、半导体蚀刻装置
09、酸性蚀刻液再生方法和酸性蚀刻液再生装置
10、干式蚀刻方法、磁记录介质的制造方法和磁记录介质
11、干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法
12、钛或钛合金用蚀刻液
13、蚀刻半导体基底的方法
14、蚀刻用组合物及蚀刻处理方法
15、用于包括反射电极的叠合膜的蚀刻组合物以及用于形成叠层布线结构的方法
16、挠性印刷电路绝缘薄膜的化学蚀刻法及其蚀刻液
17、蚀刻液回收系统与方法
18、用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
19、生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂
20、机动车玻璃蚀刻剂及其应用方法
21、金属膜的蚀刻液组合物
22、蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及半导体装置
23、蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法
24、蚀刻液、其补给液、使用其的蚀刻方法和布线基板的制法
25、控制蚀刻工序的精确度和再现性的方法
26、在蚀刻处理中控制关键尺寸的方法
27、铜的各向同性蚀刻方法
28、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
29、等离子体蚀刻方法
30、等离子蚀刻机
31、蚀刻方法及使用蚀刻方法的电路装置的制造方法
32、玻璃板表面蚀刻方法和装置、及玻璃板和平面显示器
33、蚀刻掩模
34、双面蚀刻晶片的方法
35、等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置
36、选择性蚀刻掺杂碳的低介电常数材料的方法
37、蚀刻剂、补充液以及用它们制造铜布线的方法
38、等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法
39、干蚀刻后处理方法
40、改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法
41、半导体器件制造方法和蚀刻系统
42、蚀刻系统及其蚀刻液处理方法
43、蚀刻反应槽
44、半导体蚀刻速度改进
45、湿蚀刻设备
46、改善蚀刻中止层与金属层间的粘着性的工艺与结构
47、干式蚀刻装置及干式蚀刻方法
48、蚀刻系统及其纯水添加装置
49、铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制法
50、液相蚀刻方法及液相蚀刻装置
51、硅的各向异性湿式蚀刻
52、用于对有机类材料膜进行等离子体蚀刻的方法和装置
53、通过电化学蚀刻生产铌或钽成型物件的方法
54、保护层的选择性蚀刻
55、蚀刻液及应用该蚀刻液选择性去除阻障层的导电凸块制造方法
56、用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法
57、蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物制造反射板的方法
58、含镍三氯化铁蚀刻废液的再生方法
59、一种无酸的金属蚀刻方法和它的蚀刻机
60、以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物
61、用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法及系统
62、多层膜的干湿结合蚀刻方法
63、增强等离子体蚀刻性能的方法
64、静电蚀刻方法及其装置
65、控制蚀刻深度的装置和方法
66、蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统
67、用于含水酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂
68、用于缓冲酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂
69、以可重复使用的屏蔽进行的玻璃蚀刻方法
70、Si蚀刻方法及蚀刻装置
71、生产蚀刻光导纤维束的方法和改良的蚀刻光导纤维束
72、用于硅表面和层的蚀刻糊
73、蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物
74、用于钛氧化物表面的蚀刻糊
75、可溶于光致抗蚀剂显影液的有机底部抗反射组合物及使用该组合物的光刻和蚀刻方法
76、多重蚀刻仿铸铜工艺及其产品
77、含镍三氯化铁蚀刻废液的再生方法
78、银合金蚀刻液
79、水含量降低的酸蚀刻混合物
80、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
81、用于控制掺碳氧化物薄膜的蚀刻偏差的方法
82、等离子体蚀刻方法
83、低介电常数介电质层的蚀刻方法
84、金属蚀刻画的制造方法
85、等离子体蚀刻方法
86、移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
87、显示面板的金属层的蚀刻方法
88、同时控制孔径不同开口的孔径差的方法与蚀刻工艺
89、铜锡电镀污泥与线路板蚀刻液联合处理方法
90、蚀刻速率控制
91、蚀刻方法和系统
92、改进的蚀刻方法
93、在集成电路的制造中清洁背部蚀刻的方法
94、等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法
95、一种不锈钢快速深度电化学蚀刻方法
96、一种不锈钢超微精细蚀刻方法
97、在不锈钢管上形成蚀刻图案的方法
98、在不锈钢管表面蚀刻出彩色图案的方法
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