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4、CN00258011.X 变温的高阻半导体材料光电测试装置
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8、CN01802185.9 半导体材料的激光切割
9、CN01809275.6 在基体或块体特别是由半导体材料制成的基体或块体中切制出至少一个薄层的方法
10、CN01809456.2 具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造
11、CN01820693.X 半导体材料的激光加工
12、CN01821842.3 用于生长单晶半导体材料的拉晶机和方法
13、CN02113082.5 离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法
14、CN02113088.4 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法
15、CN02121115.9 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法
16、CN02138423.1 纳米磷化物半导体材料的水热合成制备方法
17、CN02234524.8 半导体材料电信号测试装置
18、CN02813163.0 半导体材料的膜或层、及制造该膜或层的方法
19、CN02818197.2 利用X射线检查半导体材料的晶片的方法
20、CN02818923.X 有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件
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22、CN02820488.3 半导体材料处理系统
23、CN02825898.3 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件
24、CN02827556.X 使用一维半导体材料作为化学敏感材料及其在接近室温下生产和操作
25、CN03121822.9 一种具有AlAs氧化层的半导体材料
26、CN03121825.3 一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层半导体材料的方法
27、CN03125563.9 制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法
28、CN03129508.8 提高InAs GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
29、CN03139039.0 亚纳米复合法制备氧化锌基磁性半导体材料的方法
30、CN03800995.1 掺杂的有机半导体材料以及其制备方法
31、CN03804278.9 一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法
32、CN03811788.6 有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件
33、CN03816211.3 转移应变半导体材料层的方法
34、CN03819794.4 减少半导体材料中的缺陷
35、CN03823519.6 用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺
36、CN85103535 在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件
37、CN85108824 改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
38、CN86101518 一种用介质波导测量半导体材料少子寿命的装置
39、CN89101544.2 对半导体材料进行热处理的工艺和设备
40、CN93101447.6 半导体材料的层间整平装置
41、CN94105732.1 粉碎半导体材料的方法和装置
42、CN94194956.7 多孔半导体材料
43、CN95104759.0 用含酸流体处理半导体材料的方法
44、CN95108567.0 制造具有设置在支撑薄片上的半导体材料层中形成的半导体元件的半导体器件的方法
45、CN95190624.0 带有有机半导体材料的半导体器件
46、CN96104150.1 光激发半导体材料响应分析的方法和装置
47、CN96123375.3 半导体材料的制造方法及所用设备
48、CN97112634.8 镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件
49、CN97114518.0 半导体材料的清洗装置
50、CN97116108.9 半导体材料集成微结构及其制造方法
51、CN97198779.3 热电半导体材料,及其制造方法和用该材料的热电微型组件及热锻造方法
52、CN98102651.6 减小半导体材料尺寸的装置和方法
53、CN98809536.X 制造半导体材料薄片的装置和方法
54、CN99121657.1 热电半导体材料或元器件及其制造方法与装置
55、CN99803138.0 积淀半导体材料的装置和方法
56、CN99816847.5 光致发光的半导体材料
57、CN200310117195.X 具有电流控制电阻效应的掺杂半导体 绝缘体 半导体材料
58、CN200310121490.2 一种半导体材料横向周期搀杂的方法及其装置
59、CN200310122689.7 形成半导体材料晶片的方法及其结构
60、CN200310122883.5 一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统
61、CN200320129499.3 一种化合物半导体材料多晶合成的装置
62、CN200380100952.0 处理半导体材料的方法
63、CN200380103483.8 半导体材料纳米线的分散系
64、CN200380108706.X 改进有机半导体材料及与其有关的改进
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66、CN200410016462.9 基于半导体材料的纳米线制作方法
67、CN200410017195.7 完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法
68、CN200410024905.9 并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法
69、CN200410044325.6 一系列半导体材料
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84、CN200510018806.4 一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置
85、CN200510023879.2 用于化合物半导体材料生长的喷头及原料输入方法
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94、CN200510095658.6 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
95、CN200510119064.4 稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途
96、CN200510119536.6 新型半导体材料
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102、CN200580006960.8 淀积半导体材料的方法
103、CN200580007121.8 淀积高质量微晶半导体材料的方法
104、CN200580021861.7 用于施加到Ⅲ Ⅴ化合物半导体材料上的具有多个层的反射层系统
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107、CN200580038437.3 在衬底上生长Si-Ge半导体材料和器件的方法
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110、CN200580044132.3 用于薄膜晶体管的N型半导体材料
111、CN200410103374.2 采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件
112、CN200610001301.1 制备GaN基稀磁半导体材料的方法
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114、CN200610014600.9 一种去除半导体材料表面蜡和有机物的清洗液及其清洗方法
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122、CN200610091505.9 有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件
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124、CN200610105112.9 一种大面积自支撑宽禁带半导体材料的制作方法
125、CN200610121457.3 用于支撑生长中的半导体材料单晶的支撑装置以及制造单晶的方法
126、CN200610121831.X 有机半导体材料和有机半导体元件以及场效应晶体管
127、CN200610136555.4 半导体材料、其制造方法以及半导体器件
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129、CN200610166972.3 集成电路和调节含有该集成电路的半导体材料温度的方法
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131、CN200610171452.1 用于调整由半导体材料制成的基材表面或内部应变的方法
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133、CN200620030501.5 半导体材料线切割专用刃料水流预分级设备
134、CN200620030502.X 半导体材料线切割专用刃料专用溢流装置
135、CN200620030503.4 半导体材料线切割专用刃料水循环利用装置
136、CN200620030504.9 半导体材料线切割专用刃料溢流自动控制装置
137、CN200710001132.6 一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法
138、CN200710001824.0 应变绝缘体上半导体材料及制造方法
139、CN200710003498.7 一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法
140、CN200710007933.3 用于半导体材料处理系统的一体化机架
141、CN200710013325.3 用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法
142、CN200710013839.9 一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法
143、CN200710041646.4 一种宏观半导体材料性能的测试装置
144、CN200710092166.0 有机无机复合半导体材料、液态材料、有机发光元件、有机发光元件的制造方法、发光装置
145、CN200710112047.7 检测由半导体材料构成的锭件中机械缺陷的方法和设备