蚀刻专利技术全文光盘系列(1)

1 C165108628 对印刷电路原料板钻孔内塑料层的去涂及蚀刻工艺
2 C136103055 含有环状氟化磺酸盐表面活性剂蚀刻溶液
3 C135101035 高压铝阳极箔两步电化学蚀刻方法
4 C125101034 高压铝阳极箔的两步电化学和化学蚀刻法
5 C116103233 利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
6 C115106153 在印刷电路板上蚀刻铜膜的方法
7 C177108379 蚀刻玻璃及其制造方法
8 C127101014 金属蚀刻版画
9 C107103172 花岗石上蚀刻字画的化学溶解液及方法
10 C088100801.X 滚筒(轮)钢模快速深度化学蚀刻
11 C170110066.8 使用卤化物的铜蚀刻方法
12 C120106689.3 铝板表面的化学蚀刻方法
13 C132100113.4 大理石和玻璃上蚀刻字画的工艺
14 C091100122.0 废蚀刻液中铜的回收方法
15 C112112389.2 处理蚀刻剂的方法
16 C153104848.6 玻璃表面蚀刻字画的方法
17 C103105459.1 处理氯化铜蚀刻废液的方法和设备
18 C182107793.9 大理石碑刻——蚀刻工艺
19 C093117250.0 蚀刻圆筒形模板的方法和装置
20 C133112000.4 电子移印机专用钢模凹版蚀刻液
21 C113120826.2 一种具有高蚀刻性能的合金薄板
22 C113108871.2 天然大理石快速保真蚀刻方法
23 C163121415.7 玉石无毒蚀刻工艺
24 C124120116.3 氨性蚀刻装置中加速蚀刻及沉积金属的方法
25 C115102458.2 电解质电容器用的铝箔蚀刻方法
26 C144193307.5 铜蚀刻液用添加剂
27 C124120780.3 蚀刻闪光灯成象
28 C125107098.3 用激光束蚀刻胶片时驱动和定位胶片的设备
29 C164190776.7 蚀刻半导体片的方法和装置
30 C095104793.0 具有激光蚀刻阻当功能的高密度结构及其设计方法
31 C184115526.9 一种不锈钢快速深度电化学蚀刻方法
32 C114115524.2 一种不锈钢超微精细蚀刻方法
33 C184192428.9 使激光蚀刻表面上所形成的衍射槽纹最小化的方法
34 C175118641.8 清除溴化物气蚀刻用真空处理室的方法
35 C094119065.X 铝及铝合金表面精细蚀刻技术
36 C184113369.9 铜及铜合金表面精细蚀刻技术
37 C135107187.4 在宝石上蚀刻铭文的方法
38 C135107982.4 电路板碱性蚀刻废液的处理方法
39 C095109260.X 蚀刻规版直接蚀刻工艺
40 C105112433.1 玻璃钢表面蚀刻技术
41 C166190233.7 带有蚀刻电极的等离子体寻址液晶显示器
42 C146107160.5 利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
43 C166110803.7 铜及铜合金的微蚀刻剂
44 C096119880.X 用离子注入湿化学蚀刻使基底上的构图结构平面化的方法
45 C095193863.0 化学蚀刻装置及方法
46 C125194453.3 废蚀刻液重复使用的方法
47 C136109855.4 用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置
48 C096101855.0 再生碱性蚀刻补充液的制备方法及其装置系统
49 C136113405.4 半导体器件制造工艺中的等离子体蚀刻法
50 C147111154.5 采用蚀刻技术制作电容的方法
51 C147106343.5 网印玻璃蚀刻(蒙砂)油墨
52 C127110135.3 一种在大理石上影雕蚀刻图像的方法
53 C127103587.3 在花岗岩材质上影雕蚀刻图像的方法
54 C167111511.7 干式蚀刻器中残留气体的去除装置及去除方法
55 C097102359.X 使传感器间距最佳化的浅蚀刻空气轴承表面特征
56 C095197579.X 盘驱动滑动触头的部分蚀刻的保护外敷层
57 C107119323.1 阴罩的制造方法及其所用的耐蚀刻层涂敷装置
58 C146193795.5 具有蚀刻玻璃隔离片的等离子体液晶显示器
59 C177122693.8 在超声场的存在下用稀化学蚀刻剂控制二氧化硅蚀刻速率
60 C137117805.4 制造蚀刻轧辊的方法和装置
61 C097107903.X 玻璃镜面装饰图文空版蚀刻方法
62 C148100083.5 一种等离子体蚀刻装置及其方法
63 C107104899.1 在不锈钢管上形成蚀刻图案的方法
64 C108106484.1 具有三个蚀刻深度的双蚀刻台阶垫空气轴承结构
65 C187111121.9 化学蚀刻形成盲孔的多层电路板制法
66 C188100453.9 一种径迹蚀刻膜防伪标志及其制造方法
67 C177110673.8 光化学蚀刻制做金属照片技术
68 C098102315.0 接触窗及接触窗蚀刻方法
69 C188113977.9 金属板蚀刻书画工艺制品
70 C169106300.7 在铝/铜金属线路上除去活性离子蚀刻后的聚合物
71 C108119218.1 降低在蚀刻氮化物时产生微负载的方法
72 C166194041.7 等离子体蚀刻系统
73 C168124902.7 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
74 C148120768.5 硬蚀刻掩模
75 C098125215.X 蚀刻方法
76 C137195310.4 防蚀刻洗瓶溶液
77 C169112632.7 金属立体蚀刻防护模板空心技术
78 C188126518.9 蚀刻组合物及其用途
79 C148105624.5 利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
80 C187192752.9 三维蚀刻方法
81 C147116600.5 氮化物材料的蚀刻方法
82 C167116255.7 汽车玻璃防盗标识蚀刻剂
83 C148117918.5 金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法
84 C168120607.7 在掩膜二氧化硅上钻孔的等离子蚀刻方法
85 C158118803.6 用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法
86 C168120770.7 用于进行平面化和凹入蚀刻的方法及装置
87 C138114980.4 减少集成电路制造过程中侧壁堆积的金属蚀刻方法
88 C011107503.1 印制线路板碱性蚀刻铜废液处理方法
89 C159805595.6 得自纤维素粘合剂的快速蚀刻、热固性抗反射涂料
90 C010117311.1 铝合金表面化学纹理直接蚀刻的方法
91 C040108727.4 具有蚀刻背面的磷硅酸盐玻璃层的全集成热喷墨打印头
92 C119118488.2 可形成均匀蚀刻液膜的装置
93 C149802656.5 尤其用于磁或磁光记录的磁蚀刻方法
94 C080800080.8 用于去除抗光蚀剂和蚀刻残留物的含有氟化物的酸性组合物
95 C070127588.7 含镍三氯化铁蚀刻废液再生和镍回收方法
96 C060801036.6 敏射线树脂组合物及其改进其防干性蚀刻性能的方法
97 C080136167.8 导电膜蚀刻剂及蚀刻方法
98 C099811286.0 低污染、高密度等离子蚀刻腔体及其加工方法
99 C040801314.4 敏射线树脂组合物及改进该组合物的防干蚀刻性能的方法
100 C071119680.7 高尔夫球杆头部用击打板的化学蚀刻方法
101 C091111268.9 蚀刻穿孔性优良的Fe－Ni合金荫罩用的原材料
102 C091116678.9 蚀刻穿孔性能优良的铁镍合金荫罩半成品及其制造方法
103 C051129353.5 半导体金属蚀刻工艺的方法
104 C149813592.5 蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法
105 C129813593.3 蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法
106 C129127764.3 铝/铜金属连线上反应离子蚀刻后聚合物的清除方法
107 C000102364.0 改善光刻胶耐蚀刻性的方法
108 C189103329.9 手工蚀刻印刷工艺方法
109 C060102991.6 蚀刻和清洗方法及所用的蚀刻和清洗设备
110 C118803127.2 使用选择蚀刻技术形成超导器件的方法
111 C169800758.7 单向性蚀刻的声表面波换能器
112 C189800385.9 应用羧酸羟铵除去耐蚀膜和蚀刻残余物的组合物和方法
113 C189118090.9 等离子体蚀刻设备和用这种设备制造的液晶显示模块
114 C099120400.X 根据累积处理数目而采用不同蚀刻时间的蚀刻系统及方法
115 C128804902.3 制造蚀刻高尔夫球棒零件的方法
116 C050121078.5 蚀刻式单层及积层片状电感的制造方法
117 C091127244.9 金属彩色蚀刻画及其生产方法
118 C000804533.X 光敏树脂组合物、使用光敏树脂组合物的感光性元件、蚀刻图形的制法及印刷线路...
119 C060122349.6 蚀刻栅网的生产工艺
120 C031127541.3 金属蚀刻装饰板及其制造方法
121 C051125660.5 金属蚀刻装饰条及其制造方法
122 C001142051.0 蚀刻液组合物
123 C011125466.1 蚀刻液及挠性配线板的制造方法
124 C010809598.1 用于有机蚀刻的侧壁钝化的方法和装置
125 C001144821.0 气体喷射器以及包含该喷射器的蚀刻装置
126 C070809595.7 用于蚀刻碳掺杂有机硅酸盐玻璃的方法和装置
127 C030809793.3 改善蚀刻率均匀性的技术
128 C092106937.9 碳素薄膜的蚀刻方法和蚀刻设备
129 C070813243.7 带监控蚀刻剂成份的高精度传感器的自动蚀刻剂再生系统
130 C061111880.6 阶段式蚀刻方法
131 C031110173.3 一种在蚀刻过程中非破坏性测量侧向蚀刻宽度的方法
132 C001110183.0 一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法
133 C060122450.6 光刻蚀刻制作工艺
134 C002108573.0 蚀刻方法以及蚀刻液的定量分析方法
135 C051110530.5 可减少金属蚀刻残留物的形成导电结构层的方法
136 C081110453.8 以光学方法测量温度并监控蚀刻率的方法
137 C091110718.9 一种用于金属层蚀刻的轮廓控制方法
138 C091110220.9 高高宽比开口的蚀刻方法
139 C010812842.1 用于旋转蚀刻平面化的组合物与方法
140 C072116014.7 含镍三氯化铁蚀刻废液的除镍方法
141 C042112250.4 基于多个子光栅的平顶型蚀刻衍射光栅波分复用器件
142 C082106574.8 蚀刻方法与蚀刻装置
143 C052119271.5 采用湿蚀刻的电子部件的制造方法
144 C052119111.5 构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法
145 C060815311.6 在双重镶嵌方法中的低介电常数的阻蚀刻层
146 C081118679.8 防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造
147 C031118337.3 介电层的蚀刻制程
148 C071804293.7 湿法蚀刻剂组合物
149 C001122794.X 形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法
150 C061120689.6 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
151 C062127815.6 金属薄膜干蚀刻的后处理方法及蚀刻与去光阻的整合系统
152 C012141824.1 蚀刻法及蚀刻液
153 C040808764.4 利用磁组件蚀刻薄荫罩的方法
154 C031125076.3 可去除蚀刻制程后的残留聚合物及降低氧化物损失的方法
155 C051123813.5 检测接触窗蚀刻结果的方法
156 C072126848.7 用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻制程的方法
157 C061805193.6 蚀刻方法
158 C012128295.1 应用于约束等离子体反应室的半导体双镶嵌蚀刻制作过程
159 C071124118.7 等离子体蚀刻气体
160 C071140819.7 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
161 C092130235.9 利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
162 C072108303.7 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法
163 C002125972.0 喷蚀刻法