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氮化镓生产配方制备工艺方法技术专利大全

时间:2021/1/14 10:12:25 点击:

  核心提示:01、氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法02、氮化镓基圆盘式单色光源列阵03、氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法04、往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板05、一...
01、氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
02、氮化镓基圆盘式单色光源列阵
03、氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
04、往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
05、一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
06、一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
07、晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
08、以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
09、一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
10、一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
11、一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
12、非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
13、导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
14、导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
15、垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
16、氮化镓薄膜材料的制备方法
17、氮化镓类半导体元件及其制造方法
18、提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
19、双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
20、一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
21、单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
22、导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
23、应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
24、氮化镓单晶基板及其制造方法
25、三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
26、一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
27、生长高阻氮化镓外延膜的方法
28、生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
29、在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
30、铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
31、氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
32、无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
33、氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
34、氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
35、氮化镓系发光组件及其制造方法
36、富镓氮化镓薄膜的制造方法
37、氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
38、通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
39、硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
40、一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
41、烧结的多晶氮化镓
42、氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
43、一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
44、改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
45、氮化镓外延层的制造方法
46、准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
47、导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
48、氮化镓基半导体器件及其制造方法
49、I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
50、一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
51、薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
52、局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
53、制备氮化镓单晶薄膜的方法
54、制造氮化镓半导体发光器件的方法
55、氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
56、溶胶-凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
57、金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
58、用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
59、氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
60、光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
61、一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
62、基于氮化镓的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
63、用横向生长制备氮化镓层
64、氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
65、一种控制氮化镓(GaN)极性的方法
66、高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
67、生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
68、高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
69、往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
70、氮化镓单晶膜的制造方法
71、亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
72、氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
73、一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
74、氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
75、氮化镓晶体的制造方法
76、氮化镓结晶的制造方法
77、氮化镓晶体的制备方法
78、氮化镓单晶衬底及其制造方法
79、光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
80、具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
81、氮化镓外延层的制造方法
82、一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
83、一种氮化镓单晶的热液生长方法
84、一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
85、一种制备氮化镓基 LED的新方法
86、氮化镓薄膜制备技术及专用装置
87、一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
88、氮化镓化合物半导体制造方法
89、氮化镓陶瓷体的制备方法
90、单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
91、氮化镓半导体激光器
92、单晶氮化镓基板,单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
93、横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
94、氮化镓晶体的制造方法
95、氮化镓层的制备方法
96、氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
97、采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
98、氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
99、以氮化镓为基底的半导体发光装置
100、在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法
101、氮化镓的块状单结晶的制造方法
102、氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长

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