核心提示:本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管、制作方法、功率器件及电子设备,绝缘栅双极型晶体管包括:漂移区;体区,位于所述漂移区靠近发射极的一侧;第一埋层以及第二埋层,位于所述漂移区以及所述体区之间;其中,所述...
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管、制作方法、功率器件及电子设备,绝缘栅双极型晶体管包括:漂移区;体区,位于所述漂移区靠近发射极的一侧;第一埋层以及第二埋层,位于所述漂移区以及所述体区之间;其中,所述第一埋层位于所述体区的下方,并与所述体区接触;所述第二埋层位于所述第一埋层的下方,并与所述第一埋层接触;所述第一埋层的掺杂类型与所述第二埋层的掺杂类型不同。上述方案,提高了绝缘栅双极型晶体管导通时靠近发射极侧的漂移区内的载流子浓度,有效降低了导通压降。