当前位置:宝来啦 >> 技术资料 >> 单项专利 >> 新型材料 >> 正文

一种Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法

打印】 【收藏本页
提供一种制备工艺简便、成本低廉,同时能够有效提高硅基磷灰石电解质材料电导率的Cu掺杂硅基磷灰石电解质材料及其制备方法。本发明使用溶胶凝胶法制备了Si位掺杂Cu的硅基磷灰石电解质材料La10-xSi6-yCuyO26+1.5x-y,其中0≤x≤0.67,0.7<y≤2;Cu的掺杂可以有效提高材料的离子电导率。本发明在硅基磷灰石体系的Si位掺杂Cu,由于Cu2+的离子半径大于Si4+,Cu掺杂可以增大晶胞参数和氧迁移通道的尺寸,提升载流子的迁移率,所以Cu掺杂可以达到提高电导率的目的。在相同的Cu掺杂量下,降低La位的阳离子缺位数量,可以增加体系的氧离子数量,从而提高氧离子迁移过程中的载流子的数量,进一步提高材料的电导率。