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一种在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：提供含镓氮化物的衬底；步骤2：将所述衬底放进CVD设备反应腔室中，置于加热温场均匀的中心区域；步骤3：向CVD反应腔室中的衬底通入保护性气体；步骤4：对CVD反应腔室进行加热；步骤5：开始加热后，向CVD反应腔室中通入反应气体；步骤6：CVD反应腔室达到生长温度后，通入碳源，进行石墨烯薄膜生长；步骤7：生长完成后，停止通入碳源，停止加热；步骤8：向CVD反应腔室中持续通入保护性气体，待CVD反应腔室的温度降至室温后取出生长后的衬底，完成石墨烯薄膜的生长。本发明制备的石墨烯薄膜可在导电性和透明度之间找到平衡，加强了机械强度。 |
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