当前位置:
首页
>>
单项专利
>>
新型材料
>> 正文
使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法
【
打印
】 【
收藏本页
】
使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法
简介:
提供形成氧化铪、氧化锆以及氧化铪和氧化锆的叠层制品的方法。这些方法利用引入硝酸盐基前体,例如硝酸铪和硝酸锆的原子层沉积方法。使用这些硝酸盐基前体特别适于在氢钝化的硅表面上形成高介电常数的材料。
全文:详细说明书附图共
10页