当前位置：首页 >> 单项专利 >> 化学化工 >> 正文

使用氯等离子体的半导体衬底的改进的氧化工艺 【打印】 【收藏本页】 使用氯等离子体的半导体衬底的改进的氧化工艺 简介： 一种半导体衬底的热氧化的工艺，工艺包括将衬底暴露到氯等离子体，然后在氧化环境中加热衬底。衬底包括硅、锗或它们的组合。加热步骤还包括在约７５０℃和约８５０℃之间的温度加热。 全文：详细说明书附图共12页