|
| 使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程 |
| 【打印】 【收藏本页】
|
| 使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程 |
| 简介： |
一种形成栅极的方法，此栅极是一多晶硅化金属栅极。此方法至少包括提供一栅极氧化层在一衬底上。然后，沉积一多晶硅层在栅极氧化层上。接着，进行一氮化工艺形成一粘合层在多晶硅层的表面上。之后，再依序地沉积一阻挡层和一金属硅化物层在粘合层上。最后，进行一微影工艺移除部分的金属硅化物层，阻挡层，粘合层以及多晶硅层以在衬底上形成此多晶硅化金属栅极。以氮化工艺形成的粘合层可有效地加强阻挡层的阻挡效果。 |
| |
| 全文：详细说明书附图共10页 | | |
|
当前位置：