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提供了一种高压BCD工艺中高压器件的隔离结构及其制造方法，所述隔离结构包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内，所述隔离区的掺杂浓度与所述外延层的掺杂浓度为同一数量级；场氧化层，位于所述隔离区上。本发明能够使BCD高压器件所在外延岛得到有效隔离，提高BCD工艺中高压器件的击穿电压，而且在最小场氧化层的厚度下，使高压器件铝布线和硅表面的寄生开启电压可以达到1200V以上，从而改善整个高压BCD工艺硅表面氧化层台阶的平坦度，提高产品的可靠性。 |
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