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一种像素结构制造方法 【打印】 【收藏本页】 有关于一种像素结构制造方法，该方法是先提供一基板，形成一具有一主动区及一储存电容区的半导体层于透光基板上，并于半导体层上形成一源极及一漏极，接着于源极、漏极及半导体层上形成一隔离层，再于隔离层上形成一栅极及一电容电极，栅极及电容电极分别设于与主动区及储存电容区的对应处上，并于栅极、电容电极及隔离层上依序形成一介电层及一屏蔽层，如此已形成一薄膜晶体管，接着于屏蔽层形成一开口图案进行刻蚀，进而形成一接触窗，最后形成一导电层于屏蔽层上，使得漏极通过接触窗与导电层电性连接，如此经上述步骤形成一像素结构，本发明的像素结构可增加其储存电容量，且不会降低开口率，又可防止金属外漏。