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提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构 |
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涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构，包括：提供包含PMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；以及在所述拉应力凹槽内填充压应力材料。本发明制作方法不会对器件形状造成破坏，而且避免了制作工艺对器件性能的干扰，并且制造工艺要求低，也有利于器件尺寸的持续缩小，同时提高了载流子迁移率从而改善器件性能。 | |
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