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浅沟槽隔离的制造方法 【打印】 【收藏本页】 提供一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上顺次形成有垫氧化硅层、硅层和氮化硅层；依次刻蚀所述垫氧化硅层、硅层、氮化硅层和部分硅衬底，以形成沟槽；进行硅的氧化工艺，以在所述沟槽内形成第一二氧化硅层；在所述第一二氧化硅层和氮化硅层上形成第二二氧化硅层；通过化学机械研磨工艺去除所述氮化硅层上的第二二氧化硅层；依次去除所述氮化硅层和硅层，形成浅沟槽隔离。通过本发明提供的浅沟槽隔离的制造方法，避免了断层缺陷的产生，提高了半导体器件的电学稳定性。