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利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法及其电路
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利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法及其电路
简介: 利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法和电路,编程电路包括一个字线解码器、一个可调电压发生器和一个列晶体管,该编程电路在编程一个含有选择晶体管和一个数据存储元件的存储器单元是有用的,数据存储元件是被编程电流编程的,编程电流的数量可以被列晶体管、选择晶体管、或可调电压发生器来调整。
全文:详细说明书附图共48页