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| 集成电路的制造方法 |
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| 集成电路的制造方法 |
| 简介： |
一种集成电路的制造方法，步骤为：Ｐ型硅半导体基板上形成氧化硅垫层和氮化硅，形成对准标记，在Ｐ型硅半导体基板形成Ｎ井区光阻图案，透过氮化硅层和氧化硅垫层进行Ｎ型离子布植，形成Ｎ掺杂区域，及Ｐ掺杂区域，并去除Ｐ井区光阻图案，以形成Ｎ井区及Ｐ井区。接着，形成主动区光阻图案，然后，蚀去局部露出的氮化硅层以形成“开口”，再去除“主动区光阻图案光阻”，形成“Ｐ井区光阻图案”，并进行“井区深布植”，去除“Ｐ井区光阻图案”光阻，最后，以剩余“氮化硅层”作为氧化护罩，在开口处形成场氧化层及井区深布植去除剩余的氮化硅层。 |
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| 全文：详细说明书附图共12页 | | |
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